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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵電源

Transphorm攜手Allegro MicroSystems提升大功率應(yīng)用中氮化鎵電源系統(tǒng)性能

  • 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.近日宣布與為運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）開展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)展氮化鎵電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。Transphorm 的 SuperGaN ?FET可用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并能夠提供多種封裝形式，支持廣泛的功率級(jí)，滿足不同終端
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基于onsemi NCP13992的150瓦氮化鎵高效LED驅(qū)動(dòng)電源

  • 方案介紹：本方案采用onsemi ncp13992 LLC CONTROL 及高性能PFC方案NCP1611和副邊同步整流ncp4318，,主控制芯片NCP13992及NCP1611針對(duì)節(jié)能技術(shù)在整個(gè)工作電壓范圍內(nèi)優(yōu)化效率。其從輕載到重載過程中自身設(shè)計(jì)的模式切換有效的提供的了效率和THD.在以下情況下啟用高功率密度設(shè)計(jì)使用這些控制器和更高的開關(guān)頻率比較適合。使用GaN-HEMT可以實(shí)現(xiàn)更高的效率代替硅超級(jí)的設(shè)備?結(jié)MOSFET。在臨界傳導(dǎo)模式（CrCM）下運(yùn)行的轉(zhuǎn)換器和LLC功率級(jí)。PFC前級(jí)由NCP16
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氮化鎵電源介紹

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