首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 熱損耗

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究*

  • 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
  • 關(guān)鍵字： 202301  Boost變換器  SiC模塊  IGBT模塊  熱損耗  

紅外熱像儀在冶金行業(yè)中的應用

  • 冶金生產(chǎn)型企業(yè)不僅與溫度有非常緊密關(guān)系，同時它也是系統(tǒng)綜合性的企業(yè)，除了正常的專用冶金設(shè)備外，如冶金窯爐，還...
  • 關(guān)鍵字： 紅外熱像儀  冶金行業(yè)  熱損耗  
共2條 1/1 1

熱損耗介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條熱損耗!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對熱損耗的理解，并與今后在此搜索熱損耗的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473