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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 熱設計

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
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功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  串聯(lián)  并聯(lián)  

功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  •  前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
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功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數(shù)

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數(shù)？在功率器件的熱設計基礎系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結溫信息

  •  前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動器，驅動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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揭秘熱設計：集成電路設計的關鍵密碼

  • 熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；但其對于集成電路設計的意義卻不容忽視——畢竟，溫度是導致大多數(shù)半導體在現(xiàn)實應用中失效的最大環(huán)境因素。元件的預期壽命會隨著溫度的每一度升高而縮短。本文將帶您深入探討設計工程師在熱設計過程中需要關注的一些關鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題。針對可靠性的熱設計熱設計是一個復雜的課題，但其中也有一些基礎原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板（PCB
  • 關鍵字： Qorvo  熱設計  集成電路設計  

電裝株式會社：汽車熱設計的發(fā)展現(xiàn)狀

  • 引言電裝株式會社 (DENSO Corporation) 是領先的汽車供應商，致力于為全球大型汽車制造商設計和制造先進的車輛控制技術、系統(tǒng)和零件。電裝創(chuàng)立于194
  • 關鍵字： 熱設計  DENSO  熱模擬  

某高密度組裝模塊的熱設計與實現(xiàn)

  • 摘要 綜合化模塊組裝密度高，熱設計方案優(yōu)劣直接影響模塊各項性能指標。采用仿真手段對比優(yōu)化方案，確定能增加導熱通路的夾層結構。測試模塊溫升路徑，通過在模塊插槽鵲媛斂及在芯片與殼體之間加墊導熱墊的方法降
  • 關鍵字： 高密度組裝  模塊  熱設計  

基于Icepak的放大器芯片熱設計與優(yōu)化

  • 摘要：針對微波電路A類放大器常用的功率放大器芯片，建立了芯片內部封裝后的散熱模型?；跓嶙枥碚?，在對放大器芯片等效熱阻做熱分析的基礎上，采用Icepak對影響芯片散熱的焊料層、墊盤、基板的材料和厚度進行優(yōu)化，
  • 關鍵字： 熱設計  功率芯片  Icepak  優(yōu)化  

產(chǎn)生高質量芯片：熱設計注意事項須知

  • 當所設計的芯片需要滿足經(jīng)常不一致的規(guī)格要求時，先進的工藝和設計技術也會帶來艱巨的挑戰(zhàn)。在納米級設計中，功 ...
  • 關鍵字： 芯片  熱設計  

開關電源的熱設計方法詳解

  • 開關電源已普遍運用在當前的各類電子設備上，其單位功率密度也在不斷地提高。高功率密度的定義從1991年的25w/ ...
  • 關鍵字： 開關電源  熱設計  
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