EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
相變存儲(chǔ)技術(shù)
相變存儲(chǔ)技術(shù) 文章 進(jìn)入相變存儲(chǔ)技術(shù)技術(shù)社區(qū)
IBM首席技術(shù)官：相變存儲(chǔ)技術(shù)3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化
- IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會(huì)在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入使用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術(shù)專利，不過(guò)專利開發(fā)完成后，IBM會(huì)尋找有能力為IBM制造PCM存儲(chǔ)芯片的代工廠商并進(jìn)行技術(shù)授權(quán)，最后再將代工廠生產(chǎn)的PCM 芯片用于IBM自己的服務(wù)器系統(tǒng)產(chǎn)品上。
- 關(guān)鍵字： IBM 相變存儲(chǔ)技術(shù)
| 共1條 1/1 1 |
相變存儲(chǔ)技術(shù)介紹
相變存儲(chǔ)器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。后來(lái)，人們將這一學(xué)說(shuō)稱為奧弗辛斯基電子效應(yīng)。相 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473