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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

SiC是如何「拯救」降價車企的？

  • 進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
  • 關鍵字： SiC  

英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標準

  • 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅(qū)動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  

英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

  • 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅(qū)動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  6200V  MOSFET  

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

  • 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續(xù)分享相關UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  UIS  

納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
  • 關鍵字： 納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

  • 受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
  • 關鍵字： 新能源汽車  碳化硅  第三代半導體  

Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  對稱雙通道  

芯動半導體與與意法半導體達成SiC合作

  • 3月13日消息，日前，芯動半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務展開合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進一步推動長城汽車垂直整合，穩(wěn)定供應鏈發(fā)展。公開資料顯示，芯動半導體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立，以開發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動半導體位于無錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能為120萬套，預計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動
  • 關鍵字： ST  芯動  碳化硅  

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
  • 關鍵字： 納芯微  振鈴抑制  CAN SIC  

晶盛機電披露碳化硅進展

  • 近日，晶盛機電在接受機構調(diào)研時表示，目前公司已基本實現(xiàn)8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到
  • 關鍵字： 半導體設備  晶盛機電  碳化硅  

?MOSFET共源放大器的頻率響應

  • 在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號（x）以產(chǎn)生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
  • 關鍵字： MOSFET  共源放大器  

基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進電機應用鋪平了道路

  • 先進電機應用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
  • 關鍵字： SiC  逆變器  電機  CISSOID  Silicon Mobility  

輕松了解功率MOSFET的雪崩效應

  • 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。  額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
  • 關鍵字： MOSFET  雪崩  電流  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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