碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動，具有設(shè)計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
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高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領(lǐng)域的電子應(yīng)用設(shè)計。對于電動汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠(yuǎn)的續(xù)航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風(fēng)能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動著設(shè)計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當(dāng)電壓加倍時，電路中的電流會減半，因而損耗會降到四分之一。根據(jù)這個原理，為了減
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一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

熱泵是一種經(jīng)過驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項(xiàng)目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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小米首款汽車發(fā)售，碳化硅加速前行

3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面，既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國際供應(yīng)商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域，英偉達(dá)為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會

華泰證券發(fā)布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導(dǎo)體展覽會)上，華泰證券與數(shù)十家國內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動先進(jìn)封裝需求，測試機(jī)國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長?！　∪A泰證券主要觀點(diǎn)如下：
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將達(dá)100億美元，SiC功率器件市場急速擴(kuò)張

SiC 市場的快速擴(kuò)張主要得益于電動汽車的需求，預(yù)計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計及應(yīng)用

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作，設(shè)計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計適用于3k
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動具有重要
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