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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

  • 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
  • 關鍵字： 恩智浦  SiC  逆變器  

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室

  • ●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關品牌純電車型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，共同推動節(jié)能智能化電動汽車發(fā)展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌
  • 關鍵字： 吉利汽車  ST  SiC  意法半導體  

意法半導體與吉利汽車簽署SiC長期供應協(xié)議

  • 6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。據數(shù)據顯
  • 關鍵字： ST  吉利汽車  SiC  

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，深化新能源汽車轉型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作

  • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
  • 關鍵字： SiC  ADAS  新能源汽車  

ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當?shù)貢r間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產，到2033年達到滿負荷生產，滿產狀態(tài)下每周可生產多達15,000
  • 關鍵字： ST  意大利  碳化硅  

構建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

  •    能源是人類生存和發(fā)展的重要物質基礎，能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題，隨著全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂，新能源市場的需求正在快速增長?！　‘斍叭蚱嚠a業(yè)電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經1：1，領先世界其它國家數(shù)倍
  • 關鍵字： 充電樁  新能源汽車  SIC  

MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應全解

  • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
  • 關鍵字： MOSFET  參數(shù)  米勒效應  

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關鍵！

  • 電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  功率器件  

功率MOSFET的工作原理

  • 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
  • 關鍵字： 功率  MOSFET  工作原理  

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

  • 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  MOSFET  高效驅動  電力電子  

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
  • 關鍵字： Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
  • 關鍵字： SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅動器  

布局海外市場，兩家半導體企業(yè)開展合作

  • 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
  • 關鍵字： 碳化硅  化合物半導體  

這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  化合物半導體  

多款車型相繼發(fā)布，SiC技術加速“上車”

  • SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統(tǒng)、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
  • 關鍵字： Sic  新能源汽車  蔚來  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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