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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

  • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
  • 關鍵字： 寬禁帶  SiC  GaN  雙脈沖測試  

碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！

  • 在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯網、人工智能和物聯網等領域的迅速發(fā)展，芯片技術也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
  • 關鍵字： 碳化硅芯片  SiC  阿斯麥  

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
  • 關鍵字： 東芝  2200V  雙碳化硅  SiC  MOSFET模塊  

大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計

  • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
  • 關鍵字： SiC  牽引逆變器  

碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產能加速出貨

  • 隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產。傳播星球App聯合創(chuàng)始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發(fā)展，一些項目已經落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點，是實現高壓快充技
  • 關鍵字： 碳化硅  新能源  

適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

  • 隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
  • 關鍵字： SiC  

碳化硅熱度，只增不減

  • 在半導體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動作中也可窺見一二。國內上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
  • 關鍵字： 碳化硅  

高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念

  • 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
  • 關鍵字： MOSFET  

全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業(yè)以及政府研究人員進行長期
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長聯合，布局多重應用，投資未來

  • 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導體的三駕馬車，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問題。據市場研究機構Garnter數據，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
  • 關鍵字： 意法半導體  MCU  SiC  

英飛凌高壓超結MOSFET系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

  • 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現緊湊輕便的系統設計，同時以低成本實現高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
  • 關鍵字： 英飛凌  高壓超結  MOSFET  

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
  • 關鍵字： ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作，協議總價值超10億美元

  • 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
  • 關鍵字： 安森美  博格華納  碳化硅  

汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導體，車規(guī)功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  GaN  模擬芯片  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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