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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

  • 12月1日消息,近日,據(jù)外媒報(bào)道,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)將于意大利西西里島Catane投資50億歐元,新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片,為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長潛力。報(bào)道稱,此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國布屬所為。值得一提的是,今年6月,意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè),預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn),預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

  • 11月28日消息,據(jù)外媒報(bào)道,日前,英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(GIP)總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露,英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示,英飛凌目前使用6英寸晶圓,但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品,很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品,并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面,英飛凌正在通過大幅擴(kuò)建其Kulim工廠(在2022年2月宣布的原始投資之上)獲得更多產(chǎn)能,信息稱,英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC(碳化硅)功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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Omdia:人工智能將在電動(dòng)汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增,電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類似的影響?功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德爾頓表示:“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的開發(fā)始于上個(gè)世紀(jì),但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配,新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年,特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅,從PI開始?

  • 在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升,但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同?Power Intergrations(PI)資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣,以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來的判斷,同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

  • 奈梅亨,2023年11月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。   制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&應(yīng)能微電子(深圳)有限公司

  • 應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年,其核心團(tuán)隊(duì)來自美國硅谷,全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品,目前已有500多款產(chǎn)品,90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ,并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷售總監(jiān)曾總表示,其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色,硅基MOSFET產(chǎn)品
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

  • 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

  • 一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來充滿了激動(dòng)人心的可能性,但同時(shí)也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如,雖然太陽能可以提供無限的能源,但要想成功商業(yè)化,設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率,同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車領(lǐng)域,目前電動(dòng)汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及,但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問題,電動(dòng)汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量,包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)硅
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通過碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

  • 電池可以用來儲(chǔ)存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
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中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司,上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現(xiàn)身股東榜

  • 10月25日,中芯集成發(fā)布公告稱,新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技(紹興)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)動(dòng)力”)已完成了工商注冊(cè)登記手續(xù),并取得紹興市越城區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告,芯聯(lián)動(dòng)力將運(yùn)營碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)項(xiàng)目,注冊(cè)資本人民幣5億元,中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元,占注冊(cè)資本總額51.00%。基于合資公司的股權(quán)結(jié)構(gòu),合資公司將被納入公司合并報(bào)表范圍,系公司控股子公司。從投資股東上看,芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團(tuán)旗
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安森美韓國碳化硅工廠擴(kuò)建完工 年產(chǎn)能將超百萬片

  • 安森美位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工,該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息,安森美發(fā)布消息稱,其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工,目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝,到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓,在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后,將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升,安森美計(jì)劃在未來三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來填補(bǔ)大部分高
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安森美韓國富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成

  • 10月24日,安森美宣布其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹,新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場(chǎng)于2022年中期開始建設(shè),并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建,體現(xiàn)了安森美致力于在棕地(既有地點(diǎn))建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始,在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

  • 2023 年,中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅(SiC)晶體生長領(lǐng)域,中國尤其獲得國際 IDM 的認(rèn)可,導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能,然而業(yè)界樂觀預(yù)計(jì),2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬片,年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì),此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動(dòng)新能源汽車邁入“加速時(shí)代”

  • 日前,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(ISES,原CISES)。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺(tái),ISES專注于高層管理,來自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此,旨在探討行業(yè)的未來趨勢(shì)和挑戰(zhàn),分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì),為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能,促進(jìn)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì)以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中的機(jī)遇”為主題的單元中,Markus Mose
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碳化硅!介紹

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