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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅！

瘋狂的碳化硅，國(guó)內(nèi)狂追！

  • 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對(duì)碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長(zhǎng)期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿足汽車、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長(zhǎng)的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

  • 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞?。ˋachen）等地布局了多家子
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英飛凌與Wolfspeed延長(zhǎng)多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

  • 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴(kuò)大并延長(zhǎng)雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長(zhǎng)的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時(shí)滿足汽車、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對(duì)于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(zhǎng)期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效

  • 2024年1月18日，中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來(lái)諸多益處，以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車為例，續(xù)航里程可延長(zhǎng)5到10公里，在夏冬
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

  • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過(guò)渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購(gòu)官 Angelique van der Burg 表示：“對(duì)于英飛凌來(lái)說(shuō)，供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)并推
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安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(zhǎng) 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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工業(yè)電源模塊對(duì)功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲(chǔ)能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對(duì)電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對(duì)EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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電動(dòng)汽車市場(chǎng)催生碳化硅新前景

  • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢(shì)。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域，
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小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭(zhēng)做冬季續(xù)航之王

  • 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術(shù)發(fā)布會(huì)上，小米集團(tuán)董事長(zhǎng)雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達(dá)77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺(tái)，最高電壓達(dá)871V，與寧德時(shí)代歷時(shí)兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過(guò)全球最嚴(yán)苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn)，采用17層高壓絕緣防護(hù)，7.8m2同級(jí)最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時(shí)，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時(shí)，該項(xiàng)技術(shù)可以達(dá)到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級(jí)更高、空調(diào)升溫速度同級(jí)更快、充電速度同級(jí)更快”，雷軍表示，小米汽車立
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)

  • 12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下，到2028年，該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)

  • 2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國(guó)新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，已成為汽車制
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

  • 據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過(guò)程，并成功實(shí)現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目順利通過(guò)中期驗(yàn)收

  • 據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開(kāi)。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(zhǎng)郭春景研究員為組長(zhǎng)的評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項(xiàng)目通過(guò)階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國(guó)
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
  • 關(guān)鍵字： RS瑞森半導(dǎo)體  碳化硅  MOS管  
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碳化硅！介紹

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