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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

  • 引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險，在
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碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠

  • 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
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碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

  • 碳化硅場效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)用的理想之選。
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成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

  • 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計算機(jī)的計算化學(xué)，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
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ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸

  • 6月28日，據(jù)韓媒報道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價格向市場供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉(zhuǎn)向8英寸?！彪S著晶圓尺寸的增加，每片可以生產(chǎn)更多的芯片，每顆芯片的生產(chǎn)成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉(zhuǎn)變到8英寸。意法半導(dǎo)體計劃明年
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

  • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達(dá) 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛硐冗M(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

  • 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

  • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測當(dāng)逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收

  • 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進(jìn)的市場地位再進(jìn)一步。近年來
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

  • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預(yù)計投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）官方獲悉，當(dāng)?shù)貢r間5月31日，意法半導(dǎo)體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設(shè)是支持汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預(yù)計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補(bǔ)助支持。新工廠的目標(biāo)是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達(dá)15,000
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布局海外市場，兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

  • 根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：三福半導(dǎo)體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車、智能制造、機(jī)電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計、制造和封裝測試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
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這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進(jìn)展。5
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安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

  • 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場景，共同探討最新的能效設(shè)計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應(yīng)用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)的落地，實現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強(qiáng)勁，應(yīng)用場景日益多樣化。新能源
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碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

  • 隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動原材料與設(shè)備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲底座，讓數(shù)字機(jī)臺、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅    浪潮信息  MES  核心數(shù)據(jù)底座   
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碳化硅！介紹

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