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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖,電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中,功率損耗的降低可以改善
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一,在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術(shù),有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。
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采用碳化硅作為變頻器,節(jié)能潛力巨大

  • 編者語(yǔ):在現(xiàn)代工廠的機(jī)械設(shè)備中,電氣傳動(dòng)系統(tǒng)所耗費(fèi)的電能占到了60%~70%,采用節(jié)能傳動(dòng)系統(tǒng)可以為機(jī)械設(shè)備降低...
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LED碳化硅襯底基礎(chǔ)概要

  • 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在...
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即將普及的碳化硅器件

  •   隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計(jì),60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

  • 上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問(wèn)世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái),開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
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碳化硅介紹

碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]

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