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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅

氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式?

  • 伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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中國(guó)成功研制國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬(wàn)片

  •   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   不久前,中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)天科合達(dá))合作,解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù),成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。   從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底,陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。   第三代半導(dǎo)體材料   研究人員告訴記者,上世紀(jì)
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首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門(mén)投產(chǎn)

  •   5月29日,國(guó)內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門(mén)火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司投產(chǎn),并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品, 成為國(guó)內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。   據(jù)悉,碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。   瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹,6英寸碳化硅外延晶片相對(duì)于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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三菱電機(jī)攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

  •   三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題,攜帶六款全新產(chǎn)品,于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。  今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域,包括:工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,這次展出的全新第7代IGBT模塊,適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門(mén)極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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東芝擴(kuò)充碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列,為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
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Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

  • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
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Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車(chē)輛充電、石油勘探。
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

  •   記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域,連續(xù)砸進(jìn)1.8億元,正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合,進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國(guó)首家、全球第五家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售的高科技企業(yè)。  
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科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片

  • LED 領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1 cm-2,引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  •  科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示:“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強(qiáng)大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進(jìn)一步提升碳化硅晶圓片的標(biāo)準(zhǔn)??其J的垂直整合能力確保能夠?yàn)榭蛻?hù)提供針對(duì)高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案,并為電力電子市場(chǎng)的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  • LED領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片??其J通過(guò)推出更大直徑的外延片,從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場(chǎng)的發(fā)展。此項(xiàng)最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本,并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層,并已開(kāi)始訂購(gòu)。
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開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展,這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖,電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中,功率損耗的降低可以改善
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一,在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類(lèi)似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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瑞薩開(kāi)發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù),有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。
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碳化硅介紹

碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛(ài)德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]

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