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納米能源所壓電光電子學(xué)應(yīng)力成像芯片系統(tǒng)

• 　　美國(guó)佐治亞理工學(xué)院(GeorgiaInstituteofTechnology)和中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士領(lǐng)導(dǎo)的研究小組最近利用垂直生長(zhǎng)的納米壓電材料陣列研制出大規(guī)模發(fā)光二極管陣列，并且利用壓電光電子學(xué)效應(yīng)首次實(shí)現(xiàn)利用外界應(yīng)力/應(yīng)變改變納米壓電發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度的過程;首次研制出主動(dòng)自適應(yīng)式的、高分辨率的、以光電信號(hào)為媒介、并行處理的壓力傳感成像芯片系統(tǒng)。相關(guān)論文于8月11日在線發(fā)表在《自然-光子學(xué)》雜志上。 　　用電信號(hào)或光電信號(hào)成功實(shí)現(xiàn)對(duì)高分辨率觸覺(小于50微米，人的皮膚感知
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