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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 美國(guó)模擬器件公司（adi）

硅雙向開(kāi)關(guān)(SBS-雙向觸發(fā)晶體管)

固態(tài)繼電器原理及結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)、選購(gòu)

  • 固態(tài)繼電器(SOLIDSTATE RELAYS)，簡(jiǎn)寫(xiě)成“SSR”，是一種全部由固態(tài)電子元件組成的新型無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)器件，它利用電子 ...
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雙向觸發(fā)二極管

  • 雙向觸發(fā)二極管是與雙向晶閘管同時(shí)問(wèn)世的，常用來(lái)觸發(fā)雙向晶閘管。此主題相關(guān)圖片如下：雙向觸發(fā)二極管的結(jié) ...
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PTC熱敏電阻和NTC熱敏電阻技術(shù)

  • MZ12A型PTC熱敏電阻器主要用于電子鎮(zhèn)流器（節(jié)能燈、電子變壓器、萬(wàn)用表、智能電度表）等的過(guò)流過(guò)熱保護(hù)。燈絲 ...
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單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)

  • 單結(jié)晶體管原理(UJT-基極二極管)單結(jié)晶體管（簡(jiǎn)稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極 ...
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370 CPU插座測(cè)試點(diǎn)

光控晶閘管

  • 光控晶閘管 光控晶閘管也稱GK型光開(kāi)關(guān)管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G ...
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光控晶閘管的結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)圖

  • 通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G、陽(yáng)極A和陰極C。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射，沒(méi)有必要再引出控制 ...
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光控晶閘管的工作原理及特性

  • 光控晶閘管的工作原理 當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，圖2（a）的光控晶閘管可以等效成 ...
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SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)

  • 標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM分為66MHz SDRAM（即俗稱的PC 66，但PC 66并非正規(guī)術(shù)語(yǔ)），PC 100以及PC 133，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別為66MHz，1 ...
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DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)

  • 標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，對(duì)應(yīng) ...
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RDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)

支持內(nèi)存最大容量

雙通道內(nèi)存

  • 雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī) ...
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內(nèi)存插槽

  • 內(nèi)存插槽是指主板上所采用的內(nèi)存插槽類型和數(shù)量。主板所支持的內(nèi)存種類和容量都由內(nèi)存插槽來(lái)決定的。目前主 ...
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美國(guó)模擬器件公司（adi）介紹

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