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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 脈沖i-v測(cè)試

IC芯片的晶圓級(jí)射頻測(cè)試

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咱的納米有幾 安(A)、伏(V)?(下)

  • 　　解決問(wèn)題：脈沖I-V測(cè)試 ——納米測(cè)試小技巧 　　在對(duì)納米器件進(jìn)行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時(shí)通常需要測(cè)量非常小的電壓或電流，因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里，低電平測(cè)量技術(shù)不僅對(duì)于器件的I-V特征分析而且對(duì)于高電導(dǎo)率材料的電阻測(cè)量都非常重要。利于研究人員和電子行業(yè)測(cè)試工程師而言，這一功耗限制對(duì)當(dāng)前的器件與材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑戰(zhàn)。 　　與微米級(jí)元件與材料的I-V曲線生成不同的是，對(duì)納米材料與器件的測(cè)量需要特殊的
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半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)

  • 　　通用測(cè)試 　　電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 　　這類測(cè)量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測(cè)量評(píng)測(cè)新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測(cè)量對(duì)于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
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脈沖i-v測(cè)試介紹

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