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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨(dú)特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  萊布尼茨IHP  
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