設(shè)計(jì)和制造 文章 進(jìn)入設(shè)計(jì)和制造技術(shù)社區(qū)

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

• 眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，接下來(lái)我們來(lái)看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。Die Layout下圖是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(pán)(Source pad)，柵極焊盤(pán)(Gate P
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