誤觸發(fā) 文章進(jìn)入誤觸發(fā)技術(shù)社區(qū)

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)?；趯?duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性。　　關(guān)鍵詞：IGBT；
關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性

本文詳細(xì)介紹了一個(gè)用于檢測(cè)交流連續(xù)性的測(cè)試裝置，該裝置能夠完成外部測(cè)試和維修工作。圖1所示電路利用一個(gè)...
關(guān)鍵字：電容報(bào)警電路開(kāi)路故障電纜短路單端連接器比較器測(cè)試終端硅二極管誤觸發(fā)

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