閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速M(fèi)IPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實(shí)現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計M.2的采用也會得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。　　因此，考
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Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲產(chǎn)品中，在過往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。　　涉案的四項(xiàng)專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國設(shè)計”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因?yàn)橹袊笆濉庇媱澁?dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€設(shè)計中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
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LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！　SI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

　　在今天開幕的英特爾信息技術(shù)峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場狀況、發(fā)展趨勢以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析?！　∪找嬖鲩L的固態(tài)盤市場需求　　從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時代切換到了NAND時代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時代進(jìn)入了TB時代?！笆紫?，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
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Spansion 與 ISSI 簽署授權(quán)協(xié)議

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進(jìn)存儲與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品?！　SSI?閃存業(yè)務(wù)開發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對于能夠與Spansion&n
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一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
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RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法

　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲。對于無內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
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瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產(chǎn)權(quán)(IP)?！　‖F(xiàn)代發(fā)動機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進(jìn)一步系統(tǒng)升級。高速實(shí)時處理，例如根據(jù)對多個傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動態(tài)切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時停車時關(guān)掉發(fā)
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Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
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LSI加盟OCP并貢獻(xiàn)多款設(shè)計

LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開放計算項(xiàng)目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻(xiàn)兩款存儲基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計。
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Spansion與旺宏電子訴訟的真相

很多人可能都很好奇：接下來Spansion與旺宏的訴訟之戰(zhàn)將何去何從。對于旺宏來說，訴訟帶來的公關(guān)效應(yīng)反倒比其索賠聲明更有實(shí)際影響。實(shí)際上，旺宏的主張對我們毫無威脅
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甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新閃存技術(shù)

LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro?閃存加速卡已被甲骨文選作PCIe?閃存加速技術(shù)，用于其新一代數(shù)據(jù)庫一體機(jī)Exadata X4系統(tǒng)中。此外，LSI與甲骨文通力協(xié)作，為Exadata客戶帶了一款最新LSI Nytro技術(shù)——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
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全新LSI SandForce SSD控制器推高閃存性能

　　客戶端性能超過1.8GB/s，支持PCIe及SATA雙接口，針對客戶端、企業(yè)與超大規(guī)模環(huán)境優(yōu)化　　2013年11月25日，北京–LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布市場領(lǐng)先的SandForce?閃存控制器產(chǎn)品系列推出第三代。這項(xiàng)業(yè)界最廣泛部署的閃存管理技術(shù)適用于驅(qū)動PCIe?及SATA固態(tài)硬盤(SSD)以及閃存卡解決方案。最新LSI?SandForceSF3700閃存控制器系列旨在支持低功耗客戶端計算應(yīng)用、I/O密集型企業(yè)以及超大規(guī)模環(huán)境，可提供更高水平的
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]