閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

三星因?qū)＠謾?quán)向飛索賠償1.5億美元

　　飛索半導(dǎo)體(Spansion)與三星電子就專(zhuān)利訴訟達(dá)成和解，未來(lái)5年三星將向飛索半導(dǎo)體支付1.5億美元。根據(jù)雙方的協(xié)議，飛索半導(dǎo)體和三星簽訂了7年交叉專(zhuān)利授權(quán)。飛索同意以3000萬(wàn)美元收購(gòu)三星的破產(chǎn)債權(quán)，如果被法院批準(zhǔn)，飛索將被允許撤銷(xiāo)165-185萬(wàn)股股票。　　
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
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Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)

　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠(chǎng)商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國(guó)GAAP凈銷(xiāo)售額為2.929億美元，經(jīng)營(yíng)虧損70萬(wàn)美元，凈虧損1410萬(wàn)美元。公司美國(guó)非GAAP調(diào)整后凈銷(xiāo)售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收入3850萬(wàn)美元，調(diào)整后凈收入為2510萬(wàn)美元。
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帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過(guò)去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫(xiě)次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專(zhuān)注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們?cè)赨SB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
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4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。　
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Intel鎂光新加坡閃存合資廠(chǎng)舉辦正式開(kāi)業(yè)儀式

　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠(chǎng)近日舉辦了正式開(kāi)業(yè)儀式。這間工廠(chǎng)耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達(dá)到1200人。這間工廠(chǎng)從去年中期開(kāi)始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候該廠(chǎng)將能開(kāi)足馬力進(jìn)行生產(chǎn)?！?/li>
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英特爾稱(chēng)其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

　　英特爾與美光稱(chēng)上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱(chēng)利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。　　英特爾的非揮發(fā)性?xún)?nèi)存解決方案部門(mén)的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因?yàn)槲覀儗?huì)在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來(lái)越微小的技術(shù)?！?/li>
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NAND閃存市場(chǎng)或?qū)ⅰ氨辣P(pán)”

　　在2011年的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。　　在一段時(shí)間內(nèi)，由于手機(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲(chǔ)等產(chǎn)品市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，NAND閃存廠(chǎng)商一直有著驚人的增長(zhǎng)速度。　　
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全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能

　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴(kuò)大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車(chē)、消費(fèi)電子和游戲等應(yīng)用注入強(qiáng)勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對(duì)快速數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)、提升互動(dòng)性和啟動(dòng)性能而開(kāi)發(fā)，使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動(dòng)，提供最快的交互用戶(hù)體驗(yàn)。這次擴(kuò)大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)提升最高達(dá)45%。　　Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對(duì)交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
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CSR采用TSMC先進(jìn)技術(shù)推出新一代無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品

　　無(wú)線(xiàn)連接、定位與音頻平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商CSR與TSMC昨日共同發(fā)布擴(kuò)大雙方合作關(guān)系，CSR已采用TSMC先進(jìn)的90納米嵌入式閃存制程技術(shù)、硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品。　　
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閃存要成為硬盤(pán)的終結(jié)者

　　根據(jù)摩爾定律，性?xún)r(jià)比更高的閃存將取代硬盤(pán)，飛快占領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。　　有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯(lián)想到文物，比如硬盤(pán)。　　
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采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶(hù)有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使用一個(gè)較低版本的固件，從而會(huì)使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個(gè)不支持的指定設(shè)備。在如今競(jìng)爭(zhēng)激烈
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SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別，2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開(kāi)端，同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開(kāi)始。　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營(yíng)業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠(chǎng)上線(xiàn)投產(chǎn)，以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！? 　　
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2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將進(jìn)一步增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。　　2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長(zhǎng)38%。預(yù)計(jì)今年銷(xiāo)售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長(zhǎng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(zhǎng)幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長(zhǎng)72%，達(dá)到193億GB。　　盡管增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，但2011年底市場(chǎng)形勢(shì)可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場(chǎng)中樂(lè)觀(guān)氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過(guò)度投資擴(kuò)大生產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時(shí)供應(yīng)可能超過(guò)需求。預(yù)計(jì)201
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美ITC裁定三星及其客戶(hù)未侵犯飛索閃存專(zhuān)利

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ITC”)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四裁定，三星及其客戶(hù)沒(méi)有侵犯飛索半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“飛索”)的兩項(xiàng)芯片專(zhuān)利。　　如果三星及其客戶(hù)侵犯了飛索的專(zhuān)利，蘋(píng)果、RIM等公司的多項(xiàng)產(chǎn)品將被禁止進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。　　
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]