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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

三星8GB60納米閃存 用于便攜式播放設(shè)備

  •    三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。     三星宣布,公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級單元(MLC )閃存是基于60納米的制造工藝,與70納米的產(chǎn)品相比,60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。     有了這種最新的技術(shù),三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案,它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。  
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閃存市場混沌 現(xiàn)代與三星價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

  •    美國東部時(shí)間7月13日(北京時(shí)間7月14日)消息:據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱,市場上表現(xiàn)出來的NAND閃存價(jià)格即將上揚(yáng)的第一個(gè)信號還沒有維持多久,在高密iPod nano可能會延期發(fā)布的傳言中,7月份最新的主流芯片市場動態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價(jià)格可能會再下跌10%。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說,現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準(zhǔn)備展開一場價(jià)格戰(zhàn)。       雖然Gartner Dataquest研究公司認(rèn)為計(jì)劃在今年四季度上市銷售的10-12GB
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閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

  •       三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器。   早在去年9月,三星與希捷在閃存是否會全面取代硬盤技術(shù)上展開爭論,三星高層預(yù)言,硬盤時(shí)代已步入黃昏,閃存時(shí)代即將來臨。希捷公司隨即反駁,認(rèn)為閃存完全替代硬盤還為時(shí)尚早。     從目前筆記本發(fā)展的趨勢來看,移動性強(qiáng),省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購買筆記本電腦時(shí)的重要考慮因素,未來筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長電池使用時(shí)間發(fā)展,閃存
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英特爾稱不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

  •       6月23日消息,據(jù)外電報(bào)道,針對當(dāng)前愈演愈烈的裁員傳聞,英特爾CEO歐德寧日前表示,最終的決定可能在下月財(cái)報(bào)分析師大會上宣布。    據(jù)英國媒體報(bào)道,由于幾個(gè)季度的持續(xù)低迷,英特爾今年4月宣布,將對公司業(yè)務(wù)進(jìn)行重組,其中包括裁員。此后,英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠,取消了一光存儲平臺部門,另外還將兩個(gè)閃存部門合二為一。    最近幾周,又有消息稱,英特爾最多可能裁員1.6萬人。同時(shí),還將對部分業(yè)務(wù)進(jìn)行重組,例如出售閃業(yè)務(wù)門等。對此,歐德寧
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閃存VS硬盤:消費(fèi)電子帶來“共榮”

  • 有國外媒體日前對包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為,硬盤和閃存之爭并不會帶來“你死我活”的局面,兩者通過相互競爭、技術(shù)進(jìn)步,加上消費(fèi)電子市場對存儲的需求不斷擴(kuò)大,兩者的未來都很“光明”。   日立全球存儲技術(shù)公司的高級副總裁比爾
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三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

  •   三星電子近日證實(shí),正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示:“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判,但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)?!?nbsp;        索尼希望獲得8G以上的NAND閃存,預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議,在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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常憶推出新型高速SPI閃存

  •  常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。    新一代的PM25LV
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三星稱閃存市場06年再增30%

  •        韓國三星電子在CES展會上表示,由于便攜式音樂播放器等的廣泛流行,預(yù)計(jì)2006年的NAND閃存市場將出現(xiàn)大幅增長。         三星電子閃存營銷部門副主管Don Barnetson表示,去年全球NAND閃存總銷售額達(dá)100億美元,2004年為70億美元,三星這一急劇增長的市場中一直保持了60%的市場份額。    
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閃存數(shù)字電視助IT產(chǎn)業(yè)在今年繼續(xù)復(fù)蘇

  •      據(jù)韓國三星經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測稱,在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強(qiáng)勁銷售的推動下,2006年全球信息技術(shù)行業(yè)將繼續(xù)復(fù)蘇。         據(jù)Asia Pulse網(wǎng)站報(bào)道,三星經(jīng)濟(jì)研究所在一篇報(bào)告中稱,全球信息技術(shù)行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經(jīng)進(jìn)入了復(fù)蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷售的推動下,IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復(fù)蘇。   &
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采用Saifun NROM技術(shù)中芯國際進(jìn)軍閃存

  •   中芯國際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布,中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。   Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個(gè)突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個(gè)基本存儲單元四字節(jié),是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此,NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型,減少了生產(chǎn)步驟,降低了生產(chǎn)成本。   “閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個(gè)重要的驅(qū)動力,”中芯國際首席營運(yùn)官M(fèi)arco Mora表示,“在雙方簽署的第二份協(xié)議中,我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
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常憶針對供應(yīng)程序數(shù)據(jù)儲存推SPI閃存

  •       常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)&
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三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量

  •   據(jù)國外媒體援引消息人士透露,韓國芯片巨頭三星電子計(jì)劃進(jìn)一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能,并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。    據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,在本季度,三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬個(gè) “256Mbit單位”。到明年第一季度,該公司計(jì)劃進(jìn)一步壓縮5000萬個(gè)單位。這位消息人士說,三星電子計(jì)劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場供不應(yīng)求的NAND閃存產(chǎn)品。    三星電子這個(gè)舉措符合存儲市場調(diào)研公司iSuppli對明年DRAM市場所作的估計(jì)。據(jù)這家機(jī)構(gòu)
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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

  • 根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨,導(dǎo)致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。 適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期,市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存,部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存,使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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閃存芯片前途光明intel美光聯(lián)手

  •      美光科技公司是全球最大的計(jì)算機(jī)儲存芯片制造商,日前表示在和英特爾公司建立的新的閃存合資企業(yè)中,它主要提供了資產(chǎn),英特爾公司主要提供了現(xiàn)金。    據(jù)美光科技公司在近日公布的公司第一財(cái)季財(cái)報(bào)中顯示,在這個(gè)名為“IM閃存科技公司”合資企業(yè)中,它提供的資產(chǎn)價(jià)值為9.95億美元,并增加了2.5億美元現(xiàn)金。英特爾公司提供了12億美元的現(xiàn)金和票據(jù)。    過去數(shù)年來閃存芯片在全球獲得了流行,由于閃存芯片能夠儲存更多的數(shù)據(jù),在斷電時(shí)儲存的數(shù)據(jù)不會丟失
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閃存 介紹

【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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