閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

美刊稱閃存將改變個人電腦存儲技術(shù)

新華網(wǎng)華盛頓6月3日電據(jù)提前出版的最新一期美國《商業(yè)周刊》撰文說，固態(tài)硬盤SSD以及目前已廣泛使用的USB盤都采用了相似的閃存記憶技術(shù)。預(yù)計今年秋季，使用閃存與傳統(tǒng)磁盤存儲相結(jié)合的混合式存儲系統(tǒng)的電腦將大量上市。文章指出，對個人電腦用戶來說，使用閃存可靠性高、能耗低，尤其啟動時運行速度較快，還能擴(kuò)大手機(jī)和音樂播放器等的存儲容量。但由于芯片成本和重寫次數(shù)的限制，閃存一直未能用于大規(guī)模存儲。如今，制造商已開發(fā)出新技術(shù)，確保閃存中信息在芯片上的位置不會經(jīng)常變化，從而減少了
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三星為3G手機(jī)開發(fā)出大容量閃存芯片系統(tǒng)

韓國三星電子公司日前發(fā)布了一款針對3G手機(jī)設(shè)備的大容量閃存芯片產(chǎn)品，其內(nèi)部實際封裝了多顆閃存芯片，手機(jī)上的外部存儲卡插槽可能從此成為歷史。據(jù)三星稱，這個嵌入式4GB多芯片系統(tǒng)被叫做moviMCP，它在一個單元上集成了多個存儲功能，消除了對外部擴(kuò)展槽的需求，因而可以為高度壓縮的手機(jī)節(jié)省更多空間。這個封裝包含了16Gb NAND閃存和一個控制器，一個為處理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一個支持手機(jī)整體運行的2Gb NAND芯片。為不同類型的NAND
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英特爾與意法合營閃存或為擺脫虧損

傳言可能退出NOR閃存市場的英特爾選擇了另一條道路。日前，它與意法半導(dǎo)體宣布，將組建一個新的合資公司，以共同經(jīng)營閃存業(yè)務(wù)。之前，業(yè)內(nèi)一直猜測，在退出通訊處理器市場后，英特爾將會退出NOR閃存市場，以應(yīng)對來自PC芯片對手的沖擊。新的合資公司的工廠將設(shè)立在瑞士與荷蘭，大約雇用8000名員工，主要生產(chǎn)制造NOR和NAND類型的閃存芯片產(chǎn)品。合資公司中，意法半導(dǎo)體擁有48.6%的較多股份，英特爾持有45.1%，另外一家美國企業(yè)擁有剩余股份。這也是英特爾繼對手AMD之后的行動。2003年，AMD與日本富士通整
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意法半導(dǎo)體與英特爾合建最大閃存公司

5月23日據(jù)國外媒體報道，意法半導(dǎo)體及英特爾昨天發(fā)表聲明，計劃將各自虧損的閃存部門合并成一家新公司，這家新公司將成為全球最大的閃存制造公司。該份聲明指出，意法半導(dǎo)體將持有新公司48.6%的股權(quán)并獲得新公司給予的4.68億美元；英特爾將持有45.1%股權(quán)，得到4.32億美元。一向以收購科技公司為目標(biāo)的公司FranciscoPartners將對這家新公司投資1.5億美元，并持有6.3%股權(quán)。合并后的公司年收入將達(dá)36億美元。據(jù)報道，意法半導(dǎo)體CEO Bozotti
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2007年5月22日，Intel、ST和FranciscoPartners宣布成立閃存公司

　　2007年5月22日，英特爾、意法半導(dǎo)體和FranciscoPartners宣布共同組建一家獨立的閃存公司。
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聯(lián)電看準(zhǔn)CPU和閃存市場機(jī)會有意多方出擊

為了實現(xiàn)產(chǎn)品多樣化，臺灣晶圓廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進(jìn)軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹(jǐn)慎。聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強(qiáng)稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內(nèi)存）市場。胡國強(qiáng)不愿透露具體細(xì)節(jié)，但暗示聯(lián)電不會在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強(qiáng)
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SanDisk閃存繼續(xù)降價 56nm量產(chǎn)指日可待

今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達(dá)公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達(dá)到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。對于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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閃存將取代硬盤 2010年20%筆記本電腦采用閃存

4月30日，據(jù)外電報道，速度更快、更安靜的筆記本電腦已經(jīng)問世，閃存取代了硬盤的位置，但其容量有限及價格昂貴，意味著這種新科技還無法普及到大眾市場。 “價格差異仍大?！比蜃畲蠊P記型電腦代工廠商--臺灣的廣達(dá)電腦總經(jīng)理王震華表示，“我不認(rèn)為未來3年閃存電腦將成主流?！贝送猓瑑Υ嫒萘渴橇硪粋€問題。128GB是目前閃存的最大容量，使其難以與臺式PC的硬盤競爭。不過，有分析師認(rèn)為，普及的日子應(yīng)該不遠(yuǎn)了。閃存目前以每年五成的速度下跌，分析師預(yù)測到2010年，約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品

據(jù)國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動消費產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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閃存價格雪崩廠商遭遇生死劫

　　前幾天，晚上8點剛下飛機(jī)的華南地區(qū)閃存芯片貿(mào)易商陳耀東，接到公司業(yè)務(wù)員緊急電話匯報：韓國三星1GB閃存芯片顆粒價格再度回降到6美元以內(nèi)，僅比512MB規(guī)格芯片的拿貨價格高出幾元人民幣?！皬?12MB改1G并不那么容易?！睒I(yè)務(wù)員提醒道：“一些客戶可能要對現(xiàn)有產(chǎn)品電路板模具和操作軟件進(jìn)行修改，隱性成本反而提高”。　　成本倒逼　　閃存芯片作為制造U盤、MP3以及存儲卡的主要原材料芯片，占到全部成本的60%~70%。記者近日了解到，由于三星、現(xiàn)代等主力閃存革新生產(chǎn)工藝，1G規(guī)格閃存已全面切換為新制程工
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嵌入式閃存使“智能”汽車接口應(yīng)用得以實現(xiàn)

在SoC設(shè)計中，對共存元件特別是非易失存儲器進(jìn)行排列，可不是一件容易的事情，因為有復(fù)雜度要求，就會有潛在成本的上升。其決竅就是在確保最終 IC仍能提供有成本效益的取代方案的同時對各種元件加以集成。現(xiàn)代汽車中日益增加的汽車電子元件已對汽車的空間和重量提出了挑戰(zhàn)。并且，在汽車電子集成的過程中，當(dāng)重量的問題通過使線束合理化得以改進(jìn)后，空間的限制仍然為主要的關(guān)注點。因此，對于關(guān)注節(jié)省空間的工程師們來說
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英飛凌推出擁有10萬個讀/寫周期的8位閃存微控制器

　　英飛凌科技股份公司宣布推出一個8位嵌入式閃存微控制器（MCU）產(chǎn)品家族，該產(chǎn)品家族可用于高達(dá)+140
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韓國成功開發(fā)8納米級閃存元件

　　韓國科學(xué)技術(shù)院研究人員13日宣布，他們已成功開發(fā)出世界最小的8納米級三維非揮發(fā)性閃存元件。　　據(jù)此項研究負(fù)責(zé)人、韓國科學(xué)技術(shù)院電子計算機(jī)系教授崔陽奎和納米綜合制造中心負(fù)責(zé)人李熙哲介紹，由這種8納米級閃存元件制成指甲大小的存儲芯片，就可儲存1000多部DVD電影。　　據(jù)介紹，這種8納米級閃存元件有望開啟兆兆位(萬億比特)級內(nèi)存時代，并在10年后完全實現(xiàn)商用化。　　韓國科學(xué)技術(shù)院計劃于今年6月12日在日本京都舉行的國際學(xué)術(shù)會議上公布相關(guān)研究成果。
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Spansion 發(fā)布 MirrorBit HD-SIM 解決方案開發(fā)計劃

　　Spansion發(fā)布了其MirrorBit® HD-SIM™系列的產(chǎn)品開發(fā)計劃，該系列是Spansion下一代基于閃存的SIM卡解決方案。Spansion® HD-SIM解決方案能夠提供更高的靈活性、性能和存儲容量，幫助移動網(wǎng)絡(luò)運營商、內(nèi)容和應(yīng)用提供商為其客戶提供全新的差異化服務(wù)。Spansion MirrorBit HD-SIM解決方案不僅能支持分發(fā)、存儲和訪問SIM卡上存儲的數(shù)字內(nèi)容，還能提供先進(jìn)的安全性能和加密功能，加強(qiáng)數(shù)字保護(hù)。　　安全的MirrorBit HD
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]