閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

歐盟批準(zhǔn)英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)

英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準(zhǔn)。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。這筆交易將有助于合并后的公司實現(xiàn)規(guī)?；\(yùn)營，解決閃存產(chǎn)品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡

美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡。計劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機(jī)及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過渡將有利于提高性價比。英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
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盤點2006全球NOR閃存供應(yīng)商top 5

　2006年Spansion取代英特爾成為最大NOR閃存供應(yīng)商　　市場調(diào)研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR閃存供應(yīng)商的初步排名。　　　2006年全球NOR閃存供應(yīng)商排名　　“盡管2006年NOR市場擴(kuò)張，但這年供應(yīng)商的日子并不好過?！眎Suppli的資深分析師Mark DeVoss表示。“雖然2006年不象2005年那樣糟糕，但市場形勢仍然嚴(yán)峻。2005年總體NOR銷售額下降了15.5%，市場形勢依然嚴(yán)峻，所有
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三星調(diào)高閃存價格帶動內(nèi)存價格上升

　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。　　業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

　NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚(yáng)。　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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NAND閃存迎來大發(fā)展新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點

據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。　　他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。　　在未來的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲存儲卡小廠幾乎倒一半

2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達(dá)1年的慘淡經(jīng)營時期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%

　集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達(dá)85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平，不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落

閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。　　DRAM報價一片漲聲　　根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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手機(jī)與MP3 NAND Flash 市場需求過半

集邦科技表示，手機(jī)及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置，合計使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上，達(dá)52.1%，將是左右NAND Flash市場供需的關(guān)鍵。集邦科技指出，手機(jī)將是今年NAND Flash最大應(yīng)用市場，所占比重達(dá)27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場，iPod全球市占率超過一半以上，Apple因而是影響市場供需的關(guān)鍵廠商。至于手機(jī)市場方面，由于NAND&n
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MP3、手機(jī)、DSC成NAND Flash應(yīng)用金三角

　　NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴(kuò)散，從過去由數(shù)碼相機(jī)(DSC)獨(dú)霸應(yīng)用端型態(tài)，近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機(jī)、DSC金三角撐起一片天局面，3者合計占NAND Flash應(yīng)用達(dá)80%，隨身碟應(yīng)用則緊追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手機(jī)快速普及，使得手機(jī)占NAND Flash應(yīng)用比重已正式超過MP3播放器。　　目前NAND Flash應(yīng)用主要包括DSC、MP3播放器、手機(jī)、隨身碟和其它應(yīng)用，其中，DSC、MP3播放器、手機(jī)等3項領(lǐng)域共占
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Nand Flash合約價大漲模塊廠樂透

集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認(rèn)為，依照當(dāng)前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應(yīng)求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響，五月份下旬價格才開始緩步
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iPhone銷售將影響NAND Flash市場供需

NAND flash方面，由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產(chǎn)品為主，所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預(yù)估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機(jī)市場的1%左右，到達(dá)1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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全球NAND Flash供貨將拉警報

　　NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴(yán)重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強(qiáng)化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]