閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

ST針對(duì)PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲(chǔ)段粒度的16-Mbit頁(yè)式可擦除串行閃存

意法半導(dǎo)體(ST)針對(duì)PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲(chǔ)段粒度的16-Mbit頁(yè)式可擦除串行閃存最高50MHz SPI兼容總線，快速頁(yè)式擦除，標(biāo)準(zhǔn)引腳，M25PE16是參數(shù)代碼存儲(chǔ)的最佳解決方案意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼： STM)宣布，M25PE系列頁(yè)式可擦除串行閃存產(chǎn)品新增一個(gè)段粒度4-Kbyte的16-Mbit存儲(chǔ)器芯片，該產(chǎn)品是PC BIOS應(yīng)用以及光驅(qū)、數(shù)字錄音機(jī)、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品以及機(jī)頂盒(STB)等消費(fèi)電子存儲(chǔ)應(yīng)用的最佳選擇。作為
關(guān)鍵字： 16-Mbit 4 BIOS KB PC ST 串行存儲(chǔ)段粒度單片機(jī) 可擦除嵌入式系統(tǒng) 閃存頁(yè)式意法半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

英飛凌32位芯片卡閃存微控制器喜獲2006年最佳硬件創(chuàng)新類(lèi)Sesames大獎(jiǎng)

英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX）日前宣布，英飛凌32位安全芯片卡閃存微控制器家族喜獲2006年最佳硬件類(lèi)Sesames大獎(jiǎng)。獲獎(jiǎng)消息是在巴黎Cartes展會(huì)開(kāi)幕前夕公布的。如今已走過(guò)11個(gè)年頭的Sesames大獎(jiǎng)旨在表彰芯片卡行業(yè)的杰出創(chuàng)新和應(yīng)用成就。積極投身芯片卡行業(yè)的國(guó)際評(píng)審團(tuán)從參與10項(xiàng)Sesames大獎(jiǎng)角逐的203家公司中挑選出最終的獲獎(jiǎng)?wù)摺＊?jiǎng)項(xiàng)類(lèi)別包括“最佳硬件”、“最佳軟件”和“最佳應(yīng)用”等等。英飛凌32位芯片卡閃存微控制器
關(guān)鍵字： 32位芯片卡 Sesames 大獎(jiǎng) 單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器英飛凌最佳硬件創(chuàng)新類(lèi) 工業(yè)控制

閃存太貴消費(fèi)電子產(chǎn)品增長(zhǎng)將推動(dòng)硬盤(pán)猛增

據(jù)外電報(bào)道，專(zhuān)業(yè)人士近日指出，雖然遇到閃存這類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)的挑戰(zhàn)，但在2010年之前，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器將仍然是不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件。　　In-State公司近日發(fā)表研究報(bào)告稱(chēng)，隨著消費(fèi)者用電子產(chǎn)品繼續(xù)成為增長(zhǎng)速度最快的應(yīng)用之一，全球硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器出貨數(shù)量將從2005年的3.8億臺(tái)增至2010年的7.48億臺(tái)，　　In-State公司分析師Ehier說(shuō)：盡管硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)小到足以裝進(jìn)絕大多數(shù)便攜消費(fèi)者電子設(shè)備，但競(jìng)爭(zhēng)性儲(chǔ)存解決方案，比如日益增長(zhǎng)的閃存能力，在繼續(xù)威脅硬盤(pán)市場(chǎng)。&
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Spansion推出全球首款每單元四比特閃存

Spansion推出 MirrorBit® Quad技術(shù)——全球首款每單元四比特閃存 Spansion™ MirrorBit Quad 技術(shù)將與來(lái)自媒體存儲(chǔ)事業(yè)部的解決方案共同為電子設(shè)備拓展創(chuàng)新的閃存產(chǎn)品 Spansion （Nasdaq: SPSN）演示了業(yè)界首款每單元四比特閃存技術(shù)的工作芯片。該芯片由其位于得克薩斯州奧斯汀的Fab 25制造。Spansion™ Mir
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國(guó)半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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Spansion將CryptoFlash集成到處理器中

Spansion宣布將Discretix CryptoFlash集成到針對(duì)手機(jī)的Spansion安全處理器中 Spansion 宣布，Discretix的CryptoFlash™ 安全技術(shù)將集成到Spansion的安全處理器中，用于基于閃存的手機(jī)安全解決方案。Discretix位于以色列的尼坦亞，在針對(duì)閃存和便攜式產(chǎn)品方面，是嵌入式安全解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。 Spansion基于內(nèi)存的手機(jī)安全解決方案適用于各類(lèi)手機(jī)市場(chǎng)，能夠保護(hù)珍貴的個(gè)人信息、內(nèi)容和
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飛思卡爾推出Power Architecture™技術(shù)MCU

　　飛思卡爾半導(dǎo)體在微控制器（MCU）技術(shù)領(lǐng)域再次取得突破，進(jìn)一步推動(dòng)了下一代傳動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)和其它汽車(chē)控制應(yīng)用的創(chuàng)新步伐。該公司的旗艦產(chǎn)品MPC55xx 汽車(chē)控制系列的基礎(chǔ)是Power Architecture™技術(shù)，現(xiàn)在新增了一款MPC5566 ——首款集成了3兆閃存的32位MCU。　　　　MPC5566微控制器在當(dāng)今業(yè)界的MCU上嵌入了最大的閃存容量。通過(guò)滿足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)更大嵌入式內(nèi)存的不斷增長(zhǎng)的需求，MPC5566能幫助
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意法車(chē)用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

新技術(shù)給 M58BW32F帶來(lái)多項(xiàng)重要功能，包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個(gè)新的專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄?chē)的全程溫度范圍內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作，所以特別適合汽車(chē)客戶對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車(chē)系統(tǒng)。新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
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三星8GB60納米閃存用于便攜式播放設(shè)備

三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。三星宣布，公司開(kāi)發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級(jí)單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產(chǎn)品相比，60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。有了這種最新的技術(shù)，三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案，它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。
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閃存市場(chǎng)混沌現(xiàn)代與三星價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

美國(guó)東部時(shí)間7月13日（北京時(shí)間7月14日）消息：據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱(chēng)，市場(chǎng)上表現(xiàn)出來(lái)的NAND閃存價(jià)格即將上揚(yáng)的第一個(gè)信號(hào)還沒(méi)有維持多久，在高密iPod nano可能會(huì)延期發(fā)布的傳言中，7月份最新的主流芯片市場(chǎng)動(dòng)態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價(jià)格可能會(huì)再下跌10％。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說(shuō)，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準(zhǔn)備展開(kāi)一場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)。　　　　雖然Gartner Dataquest研究公司認(rèn)為計(jì)劃在今年四季度上市銷(xiāo)售的10-12GB
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閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤(pán)使用

　　三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。　　早在去年9月，三星與希捷在閃存是否會(huì)全面取代硬盤(pán)技術(shù)上展開(kāi)爭(zhēng)論，三星高層預(yù)言，硬盤(pán)時(shí)代已步入黃昏，閃存時(shí)代即將來(lái)臨。希捷公司隨即反駁，認(rèn)為閃存完全替代硬盤(pán)還為時(shí)尚早。　　從目前筆記本發(fā)展的趨勢(shì)來(lái)看，移動(dòng)性強(qiáng)，省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購(gòu)買(mǎi)筆記本電腦時(shí)的重要考慮因素，未來(lái)筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長(zhǎng)電池使用時(shí)間發(fā)展，閃存
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英特爾稱(chēng)不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

　　6月23日消息，據(jù)外電報(bào)道，針對(duì)當(dāng)前愈演愈烈的裁員傳聞，英特爾CEO歐德寧日前表示，最終的決定可能在下月財(cái)報(bào)分析師大會(huì)上宣布。　　據(jù)英國(guó)媒體報(bào)道，由于幾個(gè)季度的持續(xù)低迷，英特爾今年4月宣布，將對(duì)公司業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，其中包括裁員。此后，英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠，取消了一光存儲(chǔ)平臺(tái)部門(mén)，另外還將兩個(gè)閃存部門(mén)合二為一。　　最近幾周，又有消息稱(chēng)，英特爾最多可能裁員1.6萬(wàn)人。同時(shí)，還將對(duì)部分業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，例如出售閃業(yè)務(wù)門(mén)等。對(duì)此，歐德寧
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閃存VS硬盤(pán)：消費(fèi)電子帶來(lái)“共榮”

有國(guó)外媒體日前對(duì)包括硬盤(pán)和閃存在內(nèi)的存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為，硬盤(pán)和閃存之爭(zhēng)并不會(huì)帶來(lái)“你死我活”的局面，兩者通過(guò)相互競(jìng)爭(zhēng)、技術(shù)進(jìn)步，加上消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求不斷擴(kuò)大，兩者的未來(lái)都很“光明”。　　日立全球存儲(chǔ)技術(shù)公司的高級(jí)副總裁比爾
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三星與索尼就長(zhǎng)期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問(wèn)題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒(méi)有確定任何細(xì)節(jié)?！?nbsp; 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱(chēng)雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋(píng)果電腦11月與三星簽署了五億美元的長(zhǎng)期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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常憶推出新型高速SPI閃存

　常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤(pán)、光儲(chǔ)存(ODD)、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場(chǎng)可程序門(mén)陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。　　新一代的PM25LV
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]