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閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…
- ? 如果憑老東家的實(shí)力,新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題,其一是在專(zhuān)注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林,新公司能否脫穎而出;其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx,中文名叫恒憶公司,于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類(lèi)型)及內(nèi)置RAM(內(nèi)存)的存儲(chǔ)器,并利用新型相變移位
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Spansion推出針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit? Eclipse?閃存解決方案樣片
- 北京,2007年4月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,開(kāi)始向其戰(zhàn)略型OEM客戶提供針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit® Eclipse™閃存解決方案樣片。通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn)NOR閃存所具有的出色隨機(jī)存取性能與MirrorBit Eclipse架構(gòu)所擁有的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的編程能力相結(jié)合,Spansion基于MirrorBit Eclipse架構(gòu)的MCP產(chǎn)品將為使用中高端手機(jī)平臺(tái)的用戶帶來(lái)非同凡響的使用體驗(yàn)。公司計(jì)劃
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用帶2KB閃存的80C51基微控制器設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器(04-100)
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- 工程師可以采用恰當(dāng)組合外設(shè)和閃存的合適8位微控制器來(lái)設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器,這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。 集成2KB閃存和合適外設(shè)的80C51基微控制器所提供的解決方案并不昂貴。集成的閃存還能簡(jiǎn)便有效地調(diào)試應(yīng)用碼,如果必要的話,還可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)軟件。 由于設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)廣泛接受并熟悉了80C51,軟件/硬件開(kāi)發(fā)便可以加快進(jìn)行。這一方法的另一優(yōu)勢(shì)在于,眾多廠商提供了一系列強(qiáng)大而 經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)工具??紤]到成本、設(shè)計(jì)效率和安全的電池充電的重要性,基于微控制器的解決方案的諸多優(yōu)勢(shì)便不言而喻。?
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NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃
- 日前,全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5),以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求,該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。 市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示:“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn),因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂(lè)觀?!? 但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
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閃存分類(lèi)和關(guān)鍵參數(shù)必讀
- ????大約在1984年,在受聘于東芝公司期間,F(xiàn)ujio Masuoka博士發(fā)明了一種獨(dú)特的存儲(chǔ)器件,具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)器件的理想特征。與RAM 和EEPROM一樣,可以對(duì)這些新穎的器件或同類(lèi)的ROM進(jìn)行寫(xiě)、擦除和重寫(xiě)數(shù)據(jù)的操作,器件能將可恢復(fù)的靜態(tài)數(shù)據(jù)保存幾乎無(wú)限長(zhǎng)時(shí)間。此外,與RAM 和ROM相比,Masuoka博士的存儲(chǔ)器的容量容易提高。重要的是,與ROM和EEPROM相比,該芯片能長(zhǎng)時(shí)期存
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NAND閃存價(jià)格下降將推動(dòng)需求增長(zhǎng)
- 2月25日消息,閃存價(jià)格的下降已經(jīng)傷害了一些半導(dǎo)體廠商的股票價(jià)格。但是,今天的痛苦可能會(huì)為明天的增長(zhǎng)鋪平道路。 NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于便攜式媒體播放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、硬盤(pán)和其它設(shè)備中。由于供過(guò)于求,2007年NAND閃存芯片的價(jià)格比2006年下降了60%。 但是,由于消費(fèi)者喜歡數(shù)字音樂(lè)、圖片和視頻以及相關(guān)的便攜式設(shè)備,NAND閃存芯片的需求也快速增長(zhǎng),2007年的需求量增長(zhǎng)了大約170%。通過(guò)在一個(gè)更小的芯片中放入更多的閃存等生產(chǎn)方面的技術(shù)進(jìn)步,閃存廠商能夠把成本降低40%至50%。
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三星位居龍頭 閃存芯片廠商營(yíng)收排行
- 受到4Q07 NAND Flash價(jià)格劇跌的影響,品牌NAND Flash廠商3Q07整體營(yíng)收表現(xiàn)微幅下跌成為US.8bn,比3Q07營(yíng)收QoQ小幅減少了2.7%,由于3Q07末次級(jí)房貸所引發(fā)的金融市場(chǎng)風(fēng)暴延燒到4Q07,造成傳統(tǒng)歐美年終采購(gòu)?fù)拘枨蟛蝗珙A(yù)期,再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運(yùn)轉(zhuǎn)更順暢,使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長(zhǎng)約45%,因此也造成NAND Flash市場(chǎng)由3Q07的供貨吃緊轉(zhuǎn)為4Q07的小幅供過(guò)于求,
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東芝與SanDisk投資7000億日元建閃存基地
- 東芝日前聯(lián)合其美國(guó)半導(dǎo)體合作伙伴SanDisk宣稱(chēng),未來(lái)兩家公司計(jì)劃投資7000億日元在日本北部新建一處NAND閃存芯片基地。 兩家公司表示,新基地的選址極有可能定在日本北部北上巖手縣。但日本電子巨頭東芝表示新工廠的選址還未作最后確定。 半導(dǎo)體芯片在整個(gè)業(yè)務(wù)當(dāng)中占支柱地位的東芝公司目前有4個(gè)芯片制造基地,而且全部都在四日地區(qū)的三重縣。 另有消息稱(chēng),北九州地區(qū)的福岡縣已向東芝公司發(fā)出邀請(qǐng),希望東芝公司能將其第五個(gè)芯片制造工廠建在本地區(qū)。同時(shí)有人建議稱(chēng),東芝公司即將建立的第五個(gè)芯片基地最
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分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后,NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng),全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購(gòu)?,F(xiàn)在NAND閃存還沒(méi)有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。 Mok稱(chēng),蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購(gòu)的行動(dòng),導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。 這位分析師稱(chēng),雖然自從2
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Spansion 榮獲UT斯達(dá)康2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)
- 純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion宣布,公司獲得由UT斯達(dá)康(中國(guó))有限公司頒發(fā)的2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)。Spansion是唯一獲此榮譽(yù)的NOR閃存供應(yīng)商。 作為對(duì)供應(yīng)商最高形式的認(rèn)可,戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)是UT斯達(dá)康對(duì)Spansion一貫致力于提供先進(jìn)的閃存解決方案以及對(duì)UT斯達(dá)康這一從事基于IP、端到端網(wǎng)絡(luò)和通信解決方案技術(shù)和產(chǎn)品生產(chǎn)、整合及支持的國(guó)際化領(lǐng)導(dǎo)廠商的客戶支持的一項(xiàng)重要肯定。 UT斯達(dá)康全球供應(yīng)鏈高級(jí)副總裁Jimmy Khoo表示:“作為我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商,Spans
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意法半導(dǎo)體第四財(cái)季贏利下滑 歸咎于閃存業(yè)務(wù)
- 半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)日前發(fā)布了其第四財(cái)政季度收入報(bào)告。報(bào)告顯示,由于閃存業(yè)務(wù)銷(xiāo)售低迷,加之該業(yè)務(wù)部門(mén)重組花費(fèi),導(dǎo)致第四季度意法半導(dǎo)體贏利出現(xiàn)下滑。 在今年第四財(cái)季,意法半導(dǎo)體公司凈利潤(rùn)為2000萬(wàn)美元,每股折合2美分,去年同期贏利為2.76億美元、每股30美分。不包括相關(guān)費(fèi)用在內(nèi),該季度意法半導(dǎo)體贏利每股達(dá)到27美分。 銷(xiāo)售收入從去年的24.8億美元增長(zhǎng)到27.4億美元。 Thomson Financial財(cái)務(wù)公司預(yù)期意法半導(dǎo)體該季度每股
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意法半導(dǎo)體(ST)推出價(jià)位低于50美分的8位閃存微控制器系列產(chǎn)品
- 意法半導(dǎo)體推出一系列低價(jià)格的閃存微控制器(MCU),新產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是電動(dòng)自動(dòng)行車(chē)(ebike)、空調(diào)、小家電、傳感器等注重成本的產(chǎn)品。ST7FOX系列產(chǎn)品包含多款不同型號(hào)的產(chǎn)品,每款產(chǎn)品主要差別在于片上閃存密度不同(2KB到8KB)和引腳數(shù)量不同(8支到32支)。所有產(chǎn)品的定價(jià)都低于50美分(0.50美元)的重要價(jià)格門(mén)檻。 新產(chǎn)品屬于ST取得成功的深受市場(chǎng)歡迎的ST7微控制器系列,基于一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8位體系架構(gòu),通過(guò)簡(jiǎn)化功能實(shí)現(xiàn)了極低的產(chǎn)品單價(jià)目標(biāo),同時(shí)還保留了強(qiáng)健的經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。S
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支將降9.9%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng),2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng),2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過(guò)于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年,我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(zhǎng)期錯(cuò)誤,半導(dǎo)體主要設(shè)備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠商開(kāi)支增長(zhǎng)速度減緩和由于擔(dān)心美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
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英飛凌授權(quán)IBM使用其嵌入式閃存制造工藝
- 德國(guó)infineon日前宣布,將授權(quán)130納米制程嵌入式閃存芯片制造技術(shù)給IBM。而IBM方面預(yù)計(jì)會(huì)在未來(lái)相應(yīng)產(chǎn)品中使用該制程技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品,并提供相應(yīng)服務(wù)。此列芯片預(yù)計(jì)將會(huì)在IBM北美工廠制造。 英飛凌的130納米嵌入式閃存技術(shù)早在2006年就已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。主要應(yīng)用于使用微控制器芯片的智能卡自動(dòng)系統(tǒng)中。根據(jù)計(jì)劃,IBM將會(huì)在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圓工廠投產(chǎn),預(yù)計(jì)會(huì)在2008年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。 英飛凌是世界上第一家運(yùn)用130納米工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存產(chǎn)品量產(chǎn)
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閃存芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈 日立擬退出小硬盤(pán)業(yè)務(wù)
- 1月7日消息,上周五,有消息稱(chēng),由于市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)向閃存芯片,日立公司計(jì)劃退出小硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng),集中力量在2.5英寸和3.5英寸硬盤(pán)業(yè)務(wù)上。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日立公司的一位代表近日稱(chēng),公司不再為小硬盤(pán)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)新的客戶,因?yàn)樵摌I(yè)務(wù)的需求量開(kāi)始逐漸縮小。盡管公司會(huì)繼續(xù)提供1英寸和1.8英寸硬盤(pán),但這些硬盤(pán)僅向現(xiàn)有的客戶提供,主要使用于便攜式音樂(lè)播放器和其他移動(dòng)裝置。公司計(jì)劃于今年夏季全面停止銷(xiāo)售1.8英寸硬盤(pán)。隨著閃存價(jià)格的下跌和容量的增大,閃存芯片日益取代了小硬盤(pán)在攝像機(jī)和便攜音樂(lè)播放器中的地位。去
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě),這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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