閃存文章進入閃存技術社區(qū)

富士通開發(fā)NOR型閃存新技術

　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。　　富士通表示，將以這項N
關鍵字：富士通 NOR 閃存

蘋果iPhone手機擴容將導致今年閃存市場出現(xiàn)供不應求局面

　　據(jù)iSuppli公司預測，蘋果今年的iPhone生產(chǎn)計劃可能導致新一輪閃存供貨危機的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預測，今年蘋果對其iPhone產(chǎn)品進行升級之后，iPhone手機產(chǎn)品的閃存容量將平均達到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進一步實現(xiàn)幅度為32%的增長，達到3300萬部左右，這樣全球閃存市場今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應緊張的局面。　　過去，蘋果每年都會將其設備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機的閃存容量有望達到64
關鍵字：蘋果 iPhone 閃存

技術領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術和SSD產(chǎn)品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場上扮演領軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
關鍵字： Intel NAND 閃存

基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設備是
關鍵字：閃存大容量存儲器星載

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

　　根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。　　其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
關鍵字：閃存 NAND

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術公司。　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
關鍵字：鎂光 NAND 閃存

東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%

　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。　　全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
關鍵字：東芝 NAND 閃存

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應用

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應用,0 引言
隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高，經(jīng)常需要在無人干預的情況下，自動加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快
關鍵字：理系應用處理數(shù)據(jù) S29AL016D 閃存

Numonyx執(zhí)行長：預計未來季度中將重新盈利

　　全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長Brian Harrison周一表示,預計在接下來的季度中,公司將會開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長期下滑趨勢,而主要競爭對手經(jīng)營困難也令公司擴大份額。　　Harrison在接受路透電話采訪時稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來季度中能盈利,但我們并沒有做任何預測。公司處于有利位置,我們的成本構成大幅降低。" 　　Numonyx是一家瑞士的私營企業(yè),由英特爾和意法半導體合資設立。　　Numonyx和韓國三星和日本東芝等其他大
關鍵字： Numonyx 閃存

IEEE：NAND閃存技術將在十年之內(nèi)遭遇技術極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
關鍵字： NAND 閃存相變存儲

傳Spansion將出售日本300mm工廠

　　據(jù)來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。　　Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態(tài)進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內(nèi)部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。　　2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
關鍵字：閃存 NOR 300mm

磁盤式存儲技術還有十年風光：閃存硬盤前景不容樂觀

　　那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術的人可能要感到失望了，因為據(jù)最新的研究結果表明，如果磁盤技術按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸硬盤的容量將能達到14TB左右，價格則會降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價為100美元左右),仍然具有相當?shù)母偁幜?。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能，省電性能方面更為優(yōu)秀，正在日漸流行，但其每GB折算價格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術在2020年之前很可能會遇到性能發(fā)展上的瓶頸，這使基于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
關鍵字： SSD 閃存磁盤

市場供貨吃緊，NAND閃存合約價持續(xù)上揚

　　研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。　　　　16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
關鍵字： NAND 存儲閃存

分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達到4.8G/s

　　賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據(jù)國外媒體報道，調(diào)研公司In-Stat預計，到2010年70%的存儲設備將支持USB3.0標準。　　早在2007年，USB 3.0標準就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來了方便。　　In-Stat稱，USB 3.0設備將于明年開始進入市場，并將在未來幾年內(nèi)漸成主流。到2012年，預計70%的存儲設備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
關鍵字：存儲設備 USB3.0 閃存

2012年之前NAND閃存將保持價格上升趨勢

　　美國從事半導體相關市場調(diào)查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。　　IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調(diào)查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟低迷的2009年也不會例外。　　供貨容量也將大幅增長。即使是全球經(jīng)濟低迷的200
關鍵字：三星 NAND 閃存

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]