閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標(biāo)準(zhǔn)制定取得的重大進(jìn)展。該標(biāo)準(zhǔn)旨在成為智能手機(jī)與平板電腦等移動電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進(jìn)的存儲規(guī)范。UFS標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊(duì)功能，以便提高隨機(jī)讀寫速度。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將在未來3個月內(nèi)完成。　　
關(guān)鍵字：閃存 JEDEC

基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案

基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
關(guān)鍵字：閃存選型解決方案嵌入式 MCU SPIFI 外設(shè) Cortex-M

美光發(fā)布25nm閃存芯片

　　正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當(dāng)前的閃存市場處于更加有利的地位。　　這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個版本，標(biāo)準(zhǔn)版的存儲容量為8GB和32GB， ClearNAND增強(qiáng)版的存儲容量為16GB和64GB。　　
關(guān)鍵字：美光閃存 ClearNAND

海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動芯片、顯示器用驅(qū)動芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對象。　　
關(guān)鍵字：海力士閃存

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),　　簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) 架構(gòu) 控制器應(yīng)用

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
關(guān)鍵字：三星閃存

基于浮柵技術(shù)的閃存

基于浮柵技術(shù)的閃存,　　恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始電壓值)。在附加的編程和閾壓感應(yīng)電路的輔助下，這種效應(yīng)可用保存和檢索數(shù)據(jù)?！　≡趯懖僮髌陂g，閃
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) 基于

DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲

　　存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。　　來自交易市場的消息稱，在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。　　不過inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價格反彈只能是短期行為，不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格，這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
關(guān)鍵字： DRAM 閃存

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,　目前，針對NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?！　?/li>
關(guān)鍵字：系統(tǒng) YAFFS 應(yīng)用嵌入式文件 NAND 閃存基于

DRAM銷售將于后年衰退近三成

　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。　　顧能表示，由于初期PC市場表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少，使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預(yù)期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變，2012年的銷售恐將衰退29%。　　不過，快閃存儲器市場在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
關(guān)鍵字： DRAM 閃存

基于閃存TMS320VC5409DSP并行引導(dǎo)裝載方法

關(guān)鍵字：閃存 TMS320VC5409DSP 處理器

分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

　　無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達(dá)215億美元。　　這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。　　Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
關(guān)鍵字：閃存 NAND NOR

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND Flash存儲器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFl
關(guān)鍵字：播放器設(shè)計(jì) 聲音閃存 EPG3231 基于 D／A轉(zhuǎn)換器

TIMC敗部復(fù)活投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

　　臺灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以為(宣明智)白忙一場，不過經(jīng)濟(jì)部通過TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作，共同投入雙子星技術(shù)開發(fā)，讓TIMC敗部復(fù)活，TIMC表示，目前儲存型快閃記憶體產(chǎn)業(yè)主要還是掌握在美日韓手上，臺灣缺乏專利與自主技術(shù)，產(chǎn)業(yè)再造是業(yè)界必走的路。　　由聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智主導(dǎo)的TIMC，當(dāng)初是應(yīng)政府救DRAM產(chǎn)業(yè)而籌設(shè)，但在籌設(shè)過程中，也獲得日商爾必達(dá)的善意回應(yīng)，但DRAM的合約價和市場價格，已在籌設(shè)過程中回到成本之上，業(yè)界從一天賠一棟帝寶回
關(guān)鍵字： TIMC 閃存

Spansion卷土重來，分析師眾說紛紜話前景

Spansion目前正準(zhǔn)備高調(diào)卷土重來，這次能否成功，抑或再次失??？分析師對Spansion的前景眾說紛紜。上個...
關(guān)鍵字： Spansion 半導(dǎo)體 NOR 閃存

共567條 23/38 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]