霍耳效應(yīng) 文章 進(jìn)入霍耳效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
基于霍耳效應(yīng)的電機(jī)控制芯片設(shè)計(jì)
- 摘要:本文論述了基于霍耳效應(yīng)傳感芯片的電路設(shè)計(jì),并以0.5μm, 雙層金屬,65V高壓CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。電路實(shí)現(xiàn)了包括磁滯,防相位鎖死與自動(dòng)重啟動(dòng)等功能,采用脈沖寬度調(diào)制控制方式,并注意了功率輸出管的電壓鉗位,以及減少尖峰電流的發(fā)生。 關(guān)鍵詞:霍耳效應(yīng);電機(jī)控制;自動(dòng)重啟;脈沖寬度調(diào)制 1879年,霍耳發(fā)現(xiàn):沿x方向流過的電流受到其垂直方向(z方向)的磁場(chǎng)作用時(shí),帶電離子會(huì)受到y(tǒng)方向的磁力影響而產(chǎn)生電勢(shì)積累,這就是霍耳效應(yīng)。其中產(chǎn)生的電勢(shì)差稱為霍耳電壓。由于變化的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生變化的電場(chǎng),那么,
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霍耳效應(yīng)介紹
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