高能離子注入機(jī) 文章 進(jìn)入高能離子注入機(jī)技術(shù)社區(qū)

中國(guó)高能離子注入機(jī)核心技術(shù)難關(guān)得到突破！

• 據(jù)“中國(guó)電科”報(bào)道，國(guó)內(nèi)高能離子注入機(jī)核心技術(shù)難關(guān)得到突破！由中國(guó)電科所屬北京爍科中科信設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主研制的國(guó)內(nèi)首臺(tái)高能離子注入機(jī)已順利進(jìn)駐國(guó)內(nèi)先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)線。作為集成電路芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入機(jī)設(shè)備的研制難度極大、研制基礎(chǔ)薄弱，其應(yīng)用也非常廣泛，不僅可以用做大規(guī)模集成電路和器件和半導(dǎo)體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。其中，低能大束流離子注入機(jī)被應(yīng)用于制程邏輯、DRAM、3D存儲(chǔ)器和CIS芯片制造中，高能離子注入機(jī)則較多應(yīng)用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯
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