2nm soc 文章進(jìn)入2nm soc技術(shù)社區(qū)

里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

藍(lán)色巨人出手就是王炸?！　?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。　　核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！　?nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！　⊥瑫r(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！　　　?shí)際上，I
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個(gè)客戶，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺(tái)積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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全球沖刺2nm，臺(tái)積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？

前兩天，臺(tái)媒報(bào)道稱臺(tái)積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計(jì)劃將于不久后正式啟動(dòng)，新產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺(tái)積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時(shí)，大部分人對(duì)此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺(tái)積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺(tái)積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上，投資28nm工藝只是臺(tái)積電的計(jì)劃之一，而其從始至終
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臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手，明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺(tái)積電的說法，2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，他們也會(huì)放棄FinFE
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臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁

近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！　∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問題?！　　　?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺(tái)
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加快早期設(shè)計(jì)探索和驗(yàn)證，縮短上市時(shí)間

芯片級(jí)驗(yàn)證的挑戰(zhàn)鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)的規(guī)模和復(fù)雜性，而且各方為搶先將產(chǎn)品推向市場而不斷競爭，片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)沒有時(shí)間等到所有芯片模塊都全部完成后才開始組裝芯片。因此，SoC 設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在模塊開發(fā)的同時(shí)開始芯片集成工作，以便在設(shè)計(jì)周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī)，從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯(cuò)誤在早期階段更容易修復(fù)，而且對(duì)版圖沒有重大影響，設(shè) 計(jì)人員在此階段消除錯(cuò)誤，可以減少實(shí)現(xiàn)流片所需的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)（圖 1）。但是，早期階段芯片級(jí)物理驗(yàn)證面臨許多挑戰(zhàn)
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利用更高效的 LVS 調(diào)試提高生產(chǎn)率

簡介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗(yàn)證是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計(jì)周期中集成電路 (IC) 驗(yàn)證必不可少的組成部分，但鑒于當(dāng)今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復(fù)雜性以及錯(cuò)綜復(fù)雜的晶圓代工廠規(guī)則，運(yùn)行 LVS 可能是一項(xiàng)耗時(shí)且資源密集的工作。全芯片 LVS 運(yùn)行不僅會(huì)將設(shè)計(jì)版圖與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比較，而且通常還包含會(huì)增加 LVS 運(yùn)行時(shí)間的其他驗(yàn)證，例如電氣規(guī)則檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，調(diào)試這些設(shè)計(jì)的 LVS 結(jié)果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時(shí)，進(jìn)而影響總周轉(zhuǎn)時(shí) 間 (TAT) 和計(jì)
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出貨量破億！聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機(jī)SoC

市調(diào)機(jī)構(gòu)CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機(jī)SoC芯片市場統(tǒng)計(jì)報(bào)告，聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂，這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時(shí)候，聯(lián)發(fā)科的份額為26％，落后高通5個(gè)百分點(diǎn)，但是現(xiàn)在，聯(lián)發(fā)科來到了對(duì)手水平，拿下31％的市場，高通則滑落至29％。CounterPoint分析認(rèn)為，在中國、印度千元機(jī)市場上的強(qiáng)勁表現(xiàn)，是聯(lián)發(fā)科最大的資本，當(dāng)季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機(jī)出貨量也突破了1億部。不過，高通在5G領(lǐng)域仍然無敵，39％ 5G手機(jī)都基于高通平臺(tái)。第三季度，17％的
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谷歌自研5nm SoC被曝已流片：效仿蘋果打造全生態(tài)體驗(yàn)

此前蘋果發(fā)布了基于ARM機(jī)構(gòu)的自研芯片M1，其性能表現(xiàn)十分出色，并且對(duì)于蘋果打造全生態(tài)用戶體驗(yàn)的計(jì)劃又進(jìn)了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領(lǐng)導(dǎo)者，也有意效仿蘋果打通PC、平板、手機(jī)的終端壁壘，打造全生態(tài)體驗(yàn)。　　來自Axios的最新報(bào)道稱，谷歌代號(hào)Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解，這顆芯片基于三星5nmLPE工藝，8核ARM架構(gòu)，除了CPU、GPU等，還集成了谷歌的TPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元。　　　　值得一提的是，一顆芯片從流片到商用大概需要1年左右時(shí)間，因此還需要消費(fèi)者耐心等待?！　〈送猓?/li>
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)

這幾年，天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺(tái)積
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臺(tái)積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題

一、臺(tái)積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)?？剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺(tái)積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管

9 月 25 日消息據(jù) wccftech 報(bào)道，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺(tái)積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺(tái)積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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臺(tái)積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%

據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光（EUV）微顯
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首款5nm 5G Soc！麒麟9000來襲：Mate 40 Pro首發(fā)

　　蘋果iPad Air 4首發(fā)A14仿生芯片，成為業(yè)界一款搭載5nm處理器的平板設(shè)備。不出意外，iPhone 12系列也將使用蘋果A14仿生芯片，預(yù)計(jì)在10月份亮相。　　與iPhone 12同期亮相的預(yù)計(jì)還有華為Mate 40系列，它將首發(fā)麒麟9000芯片?！　?月17日消息，據(jù)外媒報(bào)道，華為Mate 40 Pro首發(fā)商用的麒麟9000芯片將是業(yè)界第一款5nm 5G Soc，與蘋果A14仿生芯片不同，麒麟9000直
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國產(chǎn)視覺應(yīng)用新平臺(tái) 瓴盛科技AIoT SoC芯片破繭而出

作為視頻監(jiān)控的應(yīng)用和生產(chǎn)大國，中國的視頻監(jiān)控應(yīng)用誕生了多家重要的國際領(lǐng)先企業(yè)，比如?？怠⒋笕A等，不過受制于美國的科技管控，兩家企業(yè)均曾被列入美國實(shí)體名單，這就讓國內(nèi)諸多AI和視覺應(yīng)用的系統(tǒng)方案級(jí)企業(yè)不得不考慮更多的硬件選擇，從而更好的將中國的視覺智能應(yīng)用產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。在這樣的前提下，瓴盛科技的JA310的發(fā)布就有了更多不尋常的戰(zhàn)略意義。 8月28日，“2020 AIoT高峰論壇暨瓴盛‘芯視覺’產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”在成都市雙流區(qū)隆重召開，省市區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、瓴盛科技股東方、行業(yè)客戶、生態(tài)合作伙伴和媒體記者等超過300位
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