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博眾精工牽頭設(shè)立2.5D/3D封裝關(guān)鍵技術(shù)及核心裝備創(chuàng)新聯(lián)合體

  • 據(jù)博眾半導(dǎo)體官微消息，近日，蘇州市科技局正式公布了2024年度蘇州市創(chuàng)新聯(lián)合體名單。其中，由博眾精工牽頭的“蘇州市半導(dǎo)體2.5D/3D封裝關(guān)鍵技術(shù)及核心裝備創(chuàng)新聯(lián)合體”被納入指令性立項(xiàng)項(xiàng)目清單。據(jù)悉，該創(chuàng)新聯(lián)合體由博眾精工科技股份有限公司作為核心力量，攜手蘇州大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)等12家企事業(yè)單位共同組建。該聯(lián)合體聚焦于半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)域的核心部件自主研發(fā)，旨在通過(guò)跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體2.5D/3D封裝設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)平臺(tái)，為破解國(guó)外技術(shù)壟斷、提升我國(guó)高端裝備制造業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力貢獻(xiàn)力量。博
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nepes采用西門子EDA先進(jìn)設(shè)計(jì)流程，擴(kuò)展3D封裝能力

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布，韓國(guó)nepes公司已采用西門子ED 的系列解決方案，以應(yīng)對(duì)與3D封裝有關(guān)的熱、機(jī)械和其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。SAPEON韓國(guó)研發(fā)中心副總裁Brad Seo表示：“nepes 致力于為客戶提供全面的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)和制造服務(wù)解決方案，幫助客戶在半導(dǎo)體市場(chǎng)上獲得持續(xù)成功。今天的半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)于性能和小尺寸的需求越來(lái)越高，nepes與西門子EDA的攜手將幫助我們實(shí)現(xiàn)發(fā)展所需的創(chuàng)新技術(shù)。”nepes 是外包半導(dǎo)體封裝測(cè)試服務(wù)（OSAT）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于為全球電子業(yè)客戶提供世界級(jí)的封裝、測(cè)試和半
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2.5D和3D封裝的差異和應(yīng)用

  • 半導(dǎo)體芯片封裝的重要性、傳統(tǒng)和先進(jìn)技術(shù)以及該領(lǐng)域的未來(lái)趨勢(shì)。半導(dǎo)體芯片封裝是指半導(dǎo)體器件的保護(hù)外殼。該保護(hù)殼可保護(hù)電路免受腐蝕和物理傷害，同時(shí)還便于連接電氣連接以將其與印刷電路板 (PCB) 連接。在這里，我們探討了半導(dǎo)體芯片封裝的重要性、傳統(tǒng)和先進(jìn)技術(shù)以及該領(lǐng)域的未來(lái)趨勢(shì)。半導(dǎo)體芯片封裝：傳統(tǒng)技術(shù)和先進(jìn)技術(shù)半導(dǎo)體芯片封裝的重要性半導(dǎo)體芯片封裝是半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過(guò)程的最后階段。在此關(guān)鍵時(shí)刻，半導(dǎo)體塊會(huì)覆蓋一層保護(hù)層，保護(hù)集成電路 (IC) 免受潛在的外部危險(xiǎn)和時(shí)間的腐蝕影響。這種封裝本質(zhì)上充當(dāng)保護(hù)外殼，屏蔽
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“烏合麒麟”口中的14+14nm 3D封裝技術(shù)能成為國(guó)產(chǎn)芯片的希望嗎？

  • 　　2021年6月30日，近日新浪微博@烏合麒麟被網(wǎng)友指責(zé)轉(zhuǎn)發(fā)不實(shí)消息、造謠。雙方就“14nm芯片經(jīng)過(guò)優(yōu)化和新技術(shù)支持，是否可以比肩7nm性能”的問(wèn)題論戰(zhàn)了多日，最終于6月27日烏合麒麟發(fā)布了一條收回道歉的聲明，并且他在這則聲明中提到了一些他對(duì)于3D封裝技術(shù)的理解?！　　盀鹾削梓搿笨谥械?4+14nm 3D封裝技術(shù)能成為國(guó)產(chǎn)芯片的希望嗎？　　關(guān)于他們爭(zhēng)論的問(wèn)題，筆者認(rèn)為可以從兩個(gè)方面探討：　　*采用14nm工藝制造的芯片是否可以通過(guò)3D封裝等技術(shù)最終達(dá)到肩比7nm的性能？　　這個(gè)說(shuō)法本身沒(méi)問(wèn)題。　　*這個(gè)
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臺(tái)積電與美國(guó)客戶合作開(kāi)發(fā)先進(jìn)3D封裝技術(shù)，計(jì)劃2022年量產(chǎn)

  • 據(jù)報(bào)道，全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)積電正在與 Google 等美國(guó)客戶共同測(cè)試、開(kāi)發(fā)一種先進(jìn)的“整合芯片”封裝技術(shù)，并計(jì)劃于 2022 年量產(chǎn)?！　脮r(shí)，Google 及 AMD 將成為其第一批客戶，Google 計(jì)劃將最新技術(shù)的芯片用于自動(dòng)駕駛，而 AMD 則希望借此加大在與 Intel 之間競(jìng)爭(zhēng)勝出的概率?！　∨_(tái)積電將此 3D 封裝技術(shù)命名為“SoIC（System on Integrated Chips）”，該方案可以實(shí)現(xiàn)將幾種不同類型的芯片（例如處理器、內(nèi)存或傳感器）堆疊和鏈接到一個(gè)封裝實(shí)體之中，因
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格芯為何放棄7nm轉(zhuǎn)攻3D封裝

  • 近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域，將與英特爾、臺(tái)積電等公司一道競(jìng)爭(zhēng)異構(gòu)計(jì)算時(shí)代的技術(shù)主動(dòng)權(quán)。
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3D封裝技術(shù)突破 臺(tái)積電、英特爾引領(lǐng)代工封測(cè)廠

  • 針對(duì)HPC芯片封裝技術(shù)，臺(tái)積電已在2019年6月于日本VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中，提出新型態(tài)SoIC(System on Integrated Chips)之3D封裝技術(shù)論文；透過(guò)微縮凸塊(Bumping)密度，提升CPU/GPU處理器與存儲(chǔ)器間整體運(yùn)算速度。
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臺(tái)積電完成首顆3D封裝，繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界

AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過(guò)硅穿孔堆疊在一起

  • 在Rice Oil&Gas高性能計(jì)算會(huì)議上，AMD高級(jí)副總裁Forrest Norrod介紹，他們正跟進(jìn)3D封裝技術(shù)，目標(biāo)是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過(guò)TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。
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2023年2.5D/3D封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)57.49億美元

  • 　　根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)YoleDéveloppement(Yole)的研究指出，像HBM和CIS這樣的硬件創(chuàng)造了TSV的大部分收入。2023年整體堆疊技術(shù)市場(chǎng)將超過(guò)57億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為27%，2.5D/3DTSV和晶圓級(jí)封裝技術(shù)中，消費(fèi)市場(chǎng)是最大的貢獻(xiàn)者，市場(chǎng)比重超過(guò)65%。高效能運(yùn)算(HPC)是立體構(gòu)裝技術(shù)的真正驅(qū)動(dòng)力，并且將呈現(xiàn)高度成長(zhǎng)到2023年，市場(chǎng)占有率從2018年的20%增加到2023年的40%。汽車、醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用將是主力?！　　　《M(fèi)性、高效能運(yùn)算與網(wǎng)絡(luò)(HPC&
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3D封裝技術(shù)英特爾有何獨(dú)到之處

  • 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來(lái)的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開(kāi)始。從去年12月初英特爾公布新架構(gòu)路線，到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺(tái)電腦，這樣的速度，你不得不更上!
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關(guān)于英特爾“Foveros”邏輯芯片3D堆疊，看這兩張圖就夠了 什么是“Foveros”邏輯芯片3D堆疊，英特爾答案在這里

  • 在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu)，還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
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什么3D封裝，立體“多層”芯片才是下一代芯片出路

  • 　　斯坦福大學(xué)工程師開(kāi)發(fā)出的四層“多層芯片”原型。底層和頂層是邏輯晶體管，中間是兩層存儲(chǔ)芯片層。垂直的管子是納米級(jí)的電子“電梯”，連接邏輯層和存儲(chǔ)層，讓它們能一起工作解決問(wèn)題。 　　左邊是目前的單層電路卡，邏輯與存儲(chǔ)芯片分隔在不同區(qū)，通過(guò)電線連接。就像城市街道，由于數(shù)據(jù)在邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)來(lái)來(lái)回回地傳輸，常會(huì)產(chǎn)生擁堵。右邊是多層的邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片，形成一種“摩天大樓”式的芯片，數(shù)據(jù)通過(guò)納米“電梯”實(shí)現(xiàn)立體傳輸，
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3D封裝是國(guó)內(nèi)封測(cè)業(yè)絕佳機(jī)會(huì)

  • 　　近幾年來(lái)，“中國(guó)空芯化”問(wèn)題引起社會(huì)關(guān)注。據(jù)統(tǒng)計(jì)，芯片年進(jìn)口額近2000億美元。芯片是手機(jī)、電腦、汽車、家用電器等產(chǎn)品的“大腦”，而以芯片為主的集成電路80%的需求量依賴進(jìn)口。如果“大腦”的控制權(quán)不在我們手中，將存大巨大隱患。為此，解決“中國(guó)空芯化”問(wèn)題顯得更加迫在眉睫。 　　當(dāng)前中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨諸多考驗(yàn)：一是與國(guó)際水平的差距較大。摩爾定律雖接近極限，但仍在推動(dòng)工藝制程提升，業(yè)界專家預(yù)計(jì)工藝制程將
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3D封裝材料技術(shù)及其優(yōu)點(diǎn)簡(jiǎn)介

  • 隨著移動(dòng)電話等電子器件的不斷飛速增長(zhǎng)，這些器件中安裝在有限襯底面積上的半導(dǎo)體封裝也逐漸變小變薄。3D封裝對(duì)減少裝配面積非常有效。此外，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)(將二個(gè)或多個(gè)芯片安裝在一個(gè)封裝件中)對(duì)于提高處理速
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3d封裝介紹

　　3D晶圓級(jí)封裝，英文簡(jiǎn)稱（WLP)，包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲(chǔ)器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。主要特點(diǎn)包括：多功能、高效能；大容量高密度，單位體積上的功能及應(yīng)用成倍提升以及低成本。　　一：封裝趨勢(shì)是疊層封(PoP)；低產(chǎn)率芯片似乎傾向于PoP。　　二：多芯片封 [ 查看詳細(xì) ]

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