3d dtof 文章進入3d dtof技術(shù)社區(qū)

如何達到3D位置感測的實時控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節(jié)馬達系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機器人、自動化系統(tǒng)，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計有效且安全的3D感測系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時?；魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
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大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案

2022年11月16日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖在現(xiàn)代化經(jīng)濟建設(shè)和智能管理的驅(qū)動下，人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個特殊情境下，各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機關(guān)等單位，對于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢下，大
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Arm Immortalis 實現(xiàn) 3D 游戲新境界

新聞重點· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案，Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級移動游戲提供超真實的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎(chǔ)可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費電子領(lǐng)導(dǎo)者達成長期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進材
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西門子推軟件解決方案加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設(shè)計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎，實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?！　∑渲?，來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動應(yīng)用開發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?！　碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實現(xiàn)我國在這兩個項目上
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動化及AI的過程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復(fù)、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)

頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動2D/3D IC升級

比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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