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全球半導(dǎo)體2017年增速將達16%,其中10種產(chǎn)品增速可達兩位數(shù)

  • ,世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)將半導(dǎo)體分為33個大類。近日,市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights給出了這33類產(chǎn)品在2017年市場狀況的預(yù)期。   33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預(yù)計)如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價格異常出色,IC Insights預(yù)計2017年DRAM總銷售額同比增長55%,從而成為半導(dǎo)體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個產(chǎn)業(yè)增長。在過去5年,DRAM要么是增長率
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3D NAND究竟出了什么問題?

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴,但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND,這是為什么呢?
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三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%

  •   全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠,計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價,漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲器業(yè)者強調(diào),DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁,加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu),帶動DRAM需求增加,但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷售單價居高不下,
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三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

  •   DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。   內(nèi)存業(yè)界表示,2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠,很少看到兩大內(nèi)存同漲。   這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲,主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
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國內(nèi)存儲器市場分析 該如何走存儲器國產(chǎn)化道路?

  • 近年來,隨著移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展,存儲器產(chǎn)品的應(yīng)用市場也隨之逐步開拓,市場需求越來越大。
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內(nèi)存價格暴漲一整年:徹底沒法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價,但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當?shù)膰樔恕?/li>
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2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

  •   隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長,調(diào)研機構(gòu)IC Insights預(yù)估,2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%,創(chuàng)下自2010年增33%以來,最佳年增紀錄。亦為2000年以來,第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。   2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%,NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出,促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素,是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升,并不是受到DRAM與N
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半導(dǎo)體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導(dǎo)體還需渡過哪些難關(guān)

  •   過去兩年來,隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的火熱發(fā)展,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備也因此成為全球增速最快的市場,且下游需求良好,前景可期。   通盤來看,全球前十大半導(dǎo)體廠,有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。   國外對于中國半導(dǎo)體發(fā)展采取的措施   眾所周知,半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導(dǎo)體廠商的,他們在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載,技術(shù)成熟,專利頗多,而對于中國近年內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施,
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DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高,七月漲幅約 4.6%

  •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年,依然維持強勁上漲力道,今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元,漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元,亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%,預(yù)估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。   旺季需求與七月華亞科氣體事件,DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,時序進入下半年,DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季,原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
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存儲器分類匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?

  •   RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。  SRAM:靜態(tài)隨機存儲器,就是它不需要刷新電路,不像動態(tài)隨機存儲器那樣,每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  •   IC Insights的報告顯示,DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。    不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃,IC Insights稍早憂心忡忡認為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。     近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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回顧美日DRAM芯片之爭

  • 盛極而衰是自然規(guī)律,商業(yè)領(lǐng)域也是這樣。
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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年,美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來,已經(jīng)過去47年,美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進來,卻在輸光光之后黯然離場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風(fēng)喚雨,賺得盆滿缽滿。
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手機零組件供貨缺口恐擴大 PC產(chǎn)業(yè)營運難逃沖擊

  • 第3季零組件缺貨情況持續(xù),而終端廠商考量營運壓力續(xù)轉(zhuǎn)嫁到PC終端售價之上,預(yù)料也將讓PC銷售回溫的力道受到影響,經(jīng)此相關(guān)廠商得更強化零組件缺貨所可能造成的風(fēng)險管控等才是。
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存儲芯片銷售飆升:SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高

  •   北京時間7月25日上午消息,韓國芯片制造商SK海力士周二稱,由于存儲芯片需求強勁,其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%,創(chuàng)有史以來新高,符合市場預(yù)期。   該財報刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位,SK海力士因而有望朝分析師所預(yù)估的史上最高年營業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進。   SK海力士表示,4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%,平均售價上漲11%;NAND芯
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  
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3d x-dram介紹

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