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TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費型電子需求未如預(yù)期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導(dǎo)致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

  • ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個月前，我們發(fā)布了這個軟件包的公開版，確保更多開發(fā)者能夠使用這個軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標準最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報告。顧名思義，這個功能可以讓設(shè)備更容易報告電能消耗情況，從而幫助用戶實時監(jiān)測能耗。另一個主要功能是間歇性連接設(shè)備，簡稱ICD。簡而言之，ICD功能可以讓 Matter 設(shè)備在特定間隔自動打開網(wǎng)絡(luò)連接，與其他設(shè)備通信，當客戶端設(shè)備不可
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價將上調(diào)

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預(yù)估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息，隨著移動設(shè)備功能的不斷增強，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設(shè)計，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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萊迪思Avant-X：捍衛(wèi)數(shù)字前沿

  • 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）在當今的眾多技術(shù)中發(fā)揮著重要作用。從航空航天和國防到消費電子產(chǎn)品，再到關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車行業(yè)，F(xiàn)PGA在我們生活中不斷普及。與此同時對FPGA器件的威脅也在不斷增長。想要開發(fā)在FPGA上運行（固件）的IP需要花費大量資源，受這些FPGA保護的技術(shù)也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標。防止IP盜竊、客戶數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應(yīng)用的基礎(chǔ)，在某些地區(qū)有相應(yīng)法律要求（例如，歐盟的GDPR、美國的HIPAA、英國的2018年
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基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車載USB3.X和DP數(shù)據(jù)通信方案

  • 汽車的智能化不僅帶來了駕駛安全系數(shù)的提升，也豐富了車機的娛樂系統(tǒng)，使大家有更好的、更便利的用車體驗。在各種的座艙設(shè)計中，USB口作為一個傳統(tǒng)的車機外設(shè)接口，功能也一直不斷的在提升，主要體現(xiàn)在充電功率的增大、數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩鄻有院蛡鬏斔俣鹊脑黾樱汗β蕪?V/0.5A到60W、100W，數(shù)據(jù)從USB2.0升級為USB3.X、DP投屏等。功能的提升離不開硬件的支持，Diodes推出的AP43776Q+PI3DPX1207Q+PI3DBS16222Q方案，支持PD協(xié)議、USB3.1 Gen2 數(shù)據(jù)傳輸和DP投
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

  • 圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領(lǐng)域，為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達8-13%

  • 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計智能手機
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高通驍龍 X Elite 芯片 PassMark 跑分：單核媲美蘋果 M2，多核超 M4 芯片 3.7%

  • IT之家 6 月 26 日消息，根據(jù) PassMark 跑分數(shù)據(jù)，高通驍龍 X Elite 處理器（X1E-84-100）的單核成績?yōu)?3895 分，多核成績?yōu)?23272 分，跑分喜憂參半，單核成績媲美 M2，多核成績超過 M4。CPU 單核高通驍龍 X Elite 處理器（X1E-84-100）的單核成績?yōu)?nbsp;3895 分，IT之家簡要附上主要競爭對手跑分情況如下：蘋果的 M2 芯片（8 個內(nèi)核，3.48 GHz），得分 3922 分英特爾的酷
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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3d x-dram介紹

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