HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。

TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。

如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

由于HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產成本，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待HBM3e量產，加上產能擴張，對三星、SK海力士及美光等DRAM廠商的營收貢獻，將逐季上揚。

在NAND Flash后市部分，TrendForce指出，NAND Flash供貨商經歷2023年的巨額虧損后，資本支出轉趨保守。同時，DRAM和HBM等內存產品需求，受惠AI浪潮的帶動，將排擠2025年NAND Flash的設備投資，使得過去嚴重供過于求的市況，將有所緩解。

隨著AI技術快速發(fā)展，NAND Flash市場正經歷前所未有的變革。AI應用對高速、大容量儲存的需求日益增加，長期而言，將推動enterprise SSD（eSSD）市場的蓬勃發(fā)展。