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IC Insights下修今年半導體業(yè)成長率至-1%

  • 　　IC Insights近日調(diào)降2016年半導體產(chǎn)業(yè)成長率預測至-1%，表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負面沖擊的原因之一… 　　市場研究機構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對2016年半導體產(chǎn)業(yè)的成長率預測，由原先的2%下修為-1%;該機構(gòu)表示，調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預測的主要原因，是基于全球經(jīng)濟表現(xiàn)衰弱，以及低迷不振的DRAM市場。 　　消 費性電子市場與半導體產(chǎn)業(yè)之間的連動關(guān)系越來越密切，IC Insights預期，2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%，被認為是
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三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

  • 　　據(jù)韓媒BusinessKorea報道，IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱，兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存，有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實際接替者。 　　DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。 　　另外，新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。 　　業(yè)界認為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因為95%的DRAM制造設(shè)施都
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老杳:面對政府決策論證專家能否直面良心

  • 　　一條有關(guān)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞： 　　《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證，一個千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　與會專家表示，《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對標國內(nèi)、放眼全球，符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向，具有較強的指向性和操作性。 　　老杳不是專家，不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺，在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市，僅僅一個集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
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IC Insights：英脫歐／DRAM需求疲軟 拖累半導體市場成長率

  • 　　長久以來，半導體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟成長息息相關(guān)，很少有強大的半導體市場，沒有好的世界經(jīng)濟在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中，市調(diào)機構(gòu)ICInsights預測，今年全球GDP成長率僅2.3%，低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。 　　受到DRAM市場的需求下降與英國脫歐影響，整體半導體市場成長率將下滑。 　　目前，在許多地區(qū)中，地方經(jīng)濟逐漸趨緩，即便是中國，這個個人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機、新型商用飛機與汽車
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福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

  • 　　記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證，一個千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。 　　論證會由工信部電子一所副所長萬鵬遠主持。在3個多小時的論證會上，中科院半導體所所長李樹深，中科院微
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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集邦科技：DRAM價格Q3將漲4~8%

  • 　　由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格，集邦科技旗下DRAMeXchange預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4～8%。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過近兩年的續(xù)跌，6月合約價已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價格議定完成。DRAMeXchange最新報價顯示，DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達62%。 　　吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價起漲，起因于標準
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃

  • 　　觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機的不同設(shè)計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據(jù)保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設(shè)計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要，這 也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。 　　2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規(guī)模，
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中國半導體存儲器市場前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  市場  DRAM  Flash  201607  

日經(jīng):PC用DRAM價格月增6%，能見度到九月

  • 　　行動記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價格持續(xù)攀升。 　　據(jù)日經(jīng)新聞報導，行情指標4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個月上漲6%，目前來到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價格之所以還能往上攀升，是因為美光等記憶體大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動產(chǎn)品，以致供給減少。 　　PC制造商夏季機種目前已陸續(xù)上市，盡管此時季節(jié)性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
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3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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臺灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍？這個鍋張忠謀背不背

  • 一個董事席位不至于讓知識產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過一個錯誤的決定卻可能讓臺灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
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TrendForce：原廠控制產(chǎn)出，2017年DRAM價格止跌回穩(wěn)露曙光

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)因長期需求不振，合約價格已歷經(jīng)連續(xù)19個月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季個人電腦(PC)將進入出貨高峰、中國品牌智能手機出貨持續(xù)走揚，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動能，將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外，各家DRAM供貨商對于制程轉(zhuǎn)進的態(tài)度趨于
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  DRAM  
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3d x-dram介紹

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