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日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功?

  •   小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎?   上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè),所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎?   其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。   前不久,美國(guó)
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

  •   國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。   近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷

  •   國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。   近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。   對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇?/li>
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韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

  •   市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。   閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體,主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上,增加了回路垂直排列,大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市,三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND,SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

  •   內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò),由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性   根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
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全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決 下半年產(chǎn)出可望大增

  •   2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年,包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局,SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍,由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換,良率仍不穩(wěn)定,加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛,造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨,業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增,全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。   三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  •   Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。   Gartner 表示,自 2016 年中期以來(lái),隨著 NAND Flash 的漲價(jià),SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò),這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果,在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后,市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì),開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。   Gart
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SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫(xiě)

  •   這次大概介紹了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法。  一、 接線  這個(gè)開(kāi)發(fā)板搭載了一個(gè)256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下:        偷個(gè)懶,直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過(guò)使用NANDOE和NANDWE引腳說(shuō)明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外,PC18復(fù)用為輸入
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢(mèng):72層3D NAND閃存問(wèn)世

  •   隨著APP體積不斷擴(kuò)大,以及照片、視頻等文件逐漸累積,消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時(shí)代。就連吝嗇的蘋(píng)果也將iPhone存儲(chǔ)容量翻番,最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率,但是256GB就夠了嗎?        日前,海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB),閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB?! ?nbsp; 
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技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足 內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲

  • 從去年年中開(kāi)始,以固態(tài)硬盤(pán)為代表的,包括固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條、優(yōu)盤(pán)甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品,開(kāi)始緩慢漲價(jià)。
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買家眾多 東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家?

  • 東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣,被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來(lái)改善其財(cái)務(wù)狀況,究竟東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)花落誰(shuí)家,雖然在近期就可以揭曉。
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乘上存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮 美光Q2業(yè)績(jī)超預(yù)期

  •   北京時(shí)間3月24日上午消息,由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升,美光科技預(yù)計(jì)當(dāng)前季度的營(yíng)收和利潤(rùn)遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財(cái)季利潤(rùn)也超出分析師預(yù)期,促使其股價(jià)在周四盤(pán)后交易中大漲9.4%。   由于各大企業(yè)都在爭(zhēng)相開(kāi)發(fā)體積更小、效率更高的芯片,引發(fā)了供應(yīng)瓶頸,但與此同時(shí),智能手機(jī)、人工智能、無(wú)人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求卻在飆升,導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級(jí)周期”。   美光科技周四表示,該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%,此前一個(gè)季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

  •   三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。   三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土,共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。   新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器??扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤(pán),并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。   市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)

  •   NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能,想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。   長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司,該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地,隨后
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3d-nand介紹

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