3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無(wú)線通訊市場(chǎng)大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng)下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)的需求最為強(qiáng)勁?！　‰S著企業(yè)和儲(chǔ)存市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲(chǔ)存類別增長(zhǎng)率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對(duì)于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲(chǔ)存市場(chǎng)資深總監(jiān)Crai
關(guān)鍵字：無(wú)線通訊 NAND

紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國(guó)峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)作了“自主可控的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

　　為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來(lái)越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對(duì)應(yīng)的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。而為了進(jìn)一步提升儲(chǔ)存密度，NAND Flash供貨商正
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存儲(chǔ)芯片三巨頭是否合謀操縱市場(chǎng)？

存儲(chǔ)芯片三巨頭此次遭中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
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DRAM/NAND存儲(chǔ)器需求持續(xù)增溫南亞科、旺宏業(yè)績(jī)看好

　　隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首。　　南亞科昨日股價(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺(tái)幣，后同)，但獲外資逆勢(shì)敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場(chǎng)仍持續(xù)供不應(yīng)求，對(duì)今年整體營(yíng)運(yùn)表
關(guān)鍵字： DRAM NAND

美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會(huì)上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實(shí)現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)對(duì)讀取密集型且性能敏感的云存儲(chǔ)的需求?！　‰S著工作負(fù)載的演變以滿足對(duì)于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的
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韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

　　當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲(chǔ)器，中國(guó)市場(chǎng)基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來(lái)幾年，中國(guó)生產(chǎn)存儲(chǔ)就會(huì)逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。　　對(duì)此，韓國(guó)企業(yè)也開始關(guān)注中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的加入。韓國(guó)預(yù)測(cè)，在2022年時(shí)會(huì)因?yàn)橹袊?guó)競(jìng)爭(zhēng)的影響，韓國(guó)企業(yè)將減少78億美元的存儲(chǔ)器的銷售金額。　　根據(jù)韓國(guó)媒體《et
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)

　　根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因?yàn)闆](méi)有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場(chǎng)會(huì)如此強(qiáng)勁。　　　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)，其中三星獲益匪淺，
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2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長(zhǎng)了21.7%，年成長(zhǎng)率創(chuàng)下近14年新高。而三星也借著53.6%的年成長(zhǎng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(zhǎng)幅度最大，較2016年成長(zhǎng)81.2%;美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(zhǎng)了79.7%。對(duì)此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大
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我國(guó)首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

　　位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。　　目前，我國(guó)通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口，國(guó)家存儲(chǔ)器基地于2017年成功研發(fā)我國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，有望使我國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第
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14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對(duì)DRAM、邏輯器件、NAND的影響

DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒(méi)有明確的解決方案，由于印刷需求的推動(dòng)，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng) 加快邁向中高端

　　近年來(lái)，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來(lái)的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來(lái)從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。　　工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)羅文8日在深圳舉行的全國(guó)電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上透露，2017年我國(guó)規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬(wàn)億元，手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)。　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
關(guān)鍵字： AMOLED NAND

2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來(lái)的最好成績(jī)，年收入比2016年增長(zhǎng)了22%，達(dá)到4291億美元。　　這是根據(jù)英國(guó)分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。　　這一需求的增長(zhǎng)使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長(zhǎng)了54%。　　IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的銷售總額增長(zhǎng)了77%，而閃存芯片
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND

中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國(guó)半導(dǎo)體最受傷？

中國(guó)已經(jīng)提出,提高從美國(guó)進(jìn)口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來(lái)自韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

三星中國(guó)西安NAND Flash工廠二期項(xiàng)目動(dòng)工

　　在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國(guó)三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國(guó)西安NandFlash存儲(chǔ)器廠的擴(kuò)建計(jì)劃，28日正式動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。　　據(jù)了解，該項(xiàng)總金額高達(dá)70億美元，工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計(jì)劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬(wàn)片。如今，新的產(chǎn)線動(dòng)工建置，未來(lái)完成之后將可再為三星增加每月20萬(wàn)片的產(chǎn)能。　　只是，該新的
關(guān)鍵字：三星 NAND