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集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?！　≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
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東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

  • 　　根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！　　　?jù)介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！　?jù)報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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存儲市場寡頭競爭，中國能否突出重圍

  • 事實上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金，因此，我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代，這種投入十分必要。
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展

  •  3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
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Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

  • 3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用，
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中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導(dǎo)體依賴?！　№n國企業(yè)對該計劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個原因?！　∈紫?，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
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IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場為......
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韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

  • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑。　　無獨(dú)有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?　
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集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?！　RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
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存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點(diǎn)2018

  • 存儲器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
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CES 2019：英特爾推出5G芯片 躋身無線基站

  • CES 2019展會上，英特爾宣布了因應(yīng)5G時代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
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2018年三大手機(jī)創(chuàng)新技術(shù)：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

  • 2018年，手機(jī)廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質(zhì)等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設(shè)計，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級夜景”，這些設(shè)計與創(chuàng)新為消費(fèi)者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現(xiàn)并沒有讓消費(fèi)者對手機(jī)的使用體驗有著超預(yù)期的提升，實用但并不令人心生向往。
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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半導(dǎo)體設(shè)備廠商競爭格局生變？

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應(yīng)用材料公司的市場份額比Lam
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突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

  • 2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
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3d-nand介紹

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