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英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

  •   晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國(guó)設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng),且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。   擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn)   臺(tái)媒引述指出,臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向,主因是南科高雄園區(qū)路竹基地,環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無(wú)法配合臺(tái)積電需求,加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳,也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。   臺(tái)積電表示,南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外,持續(xù)觀察,選地尚未決定。至于電力問(wèn)題,臺(tái)積電重申,考慮設(shè)廠地點(diǎn),水、電、土地、人才,
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臺(tái)積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

  •   臺(tái)科技部長(zhǎng)陳良基15日接受經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)專(zhuān)訪時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀等科技大老,對(duì)臺(tái)積電3納米計(jì)劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì)特別關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并從近程及長(zhǎng)期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級(jí)。   對(duì)于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì)否影響臺(tái)積電3納米進(jìn)程,陳良基說(shuō):「我比較審慎樂(lè)觀。我有看到臺(tái)積電對(duì)3納米需求,水電、土地、空污等因應(yīng)措施,并沒(méi)有不能解決的悲觀?!顾㈩A(yù)言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺(tái)積電」。   陳良基說(shuō),他跟張忠謀常碰面,上任后
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半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問(wèn)題

  •   在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上,世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出,“scaling(尺寸縮小)還會(huì)繼續(xù),我不僅相信它將會(huì)繼續(xù),而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。”   他認(rèn)為,目前從技術(shù)層面來(lái)說(shuō),F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來(lái)的唯一選擇。
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