7納米 文章 進入7納米技術(shù)社區(qū)
GlobalFoundries研發(fā)7納米芯片,14納米來自三星
- GlobalFoundries宣布推出7納米(7LP)FinFET制程技術(shù),主要應用在高階手機處理器、云端服務器網(wǎng)路基礎設備等領域,目前設計軟件已經(jīng)就緒,預計7LP技術(shù)的首批產(chǎn)品將于2018年上半問世,2018年下半正式進行量產(chǎn)。 GlobalFoundries在2016年宣布要展開自研7納米FinFET制程之路,且為了加快7LP的量產(chǎn)進度,GlobalFoundries也計劃投入極紫外光(EUV)技術(shù),7LP技術(shù)在量產(chǎn)初期仍是會采用傳統(tǒng)的光刻方式,未來會逐步使用EUV技術(shù)。 Glob
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臺積電準備為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)7納米12核心處理器?
- 臺積電7納米研發(fā)還在如火如荼進行中,不過消息傳出,臺積電已準備運用7納米技術(shù),為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)12核心處理器。 聯(lián)發(fā)科目前最高端處理器HelioX30采10核心架構(gòu),但戰(zhàn)力似乎不太夠,聯(lián)發(fā)科共同營運長朱尚祖(JeffreyJu)日前曾坦承接單狀況不理想,預期會采用新處理器的手機不到十支。 另外,臺積電10納米傳良率不佳,導致聯(lián)發(fā)科出貨延后,這顯然影響到聯(lián)發(fā)科信心,并加速進階至7納米的腳步。由于臺積電7納米預估將在2018年初進入量產(chǎn),這意味著聯(lián)發(fā)科12核心處理器可能在明年上半年問世。 無
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英特爾重啟Fab 42非為擴產(chǎn) 或鎖定導入7納米制程用EUV設備
- 為響應川普(Donald Trump)新政,英特爾(Intel)宣布將投入70億美元重啟位于亞歷桑納州的Fab 42晶圓廠。分析師認為,英特爾啟用Fab 42的主要目的或許不在于擴大產(chǎn)能,而是要引進7納米制程所需的極紫外光(EUV)設備。 根據(jù)EE Times報導,F(xiàn)ab 42啟用后,會將目標瞄準7納米制程,并可望在3~4年內(nèi)創(chuàng)造3,000個高科技、高薪資的工作機會。盡管英特爾尚未透露將于哪個時間點開始采用EUV微影技術(shù),IC Insights分析師認為,EUV微影將是英特爾7納米成功的關(guān)鍵,因
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遵循摩爾定律 英特爾計劃今年試驗7納米制程
- 英特爾(Intel)此前在遵循摩爾定律(Moore’s Law)的進程上稍稍落后,但英特爾仍不打算放棄追尋摩爾定律的發(fā)展腳步。2日財報電話會議上,英特爾宣布正投建一座7納米制程試驗廠房,將借此廠房測試及探索7納米制程技術(shù)量產(chǎn)的可能。這也可望打破部分專家認為摩爾定律已告終結(jié)的說法,并讓英特爾加入7納米制程競賽行列。 根據(jù)Computerworld報導,英特爾尚未對外透露何時將開始以7納米制程技術(shù)量產(chǎn)芯片,不過應不會在未來2~3年發(fā)生,因目前英特爾10納米芯片仍未正式面市。該試驗廠房產(chǎn)能
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7納米以下技術(shù)候選人:IMEC看好GAA NWFET技術(shù)
- 比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極,使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等,且針對7納米以下技術(shù)候選人,IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。 比利時微電子研究中心與全球許多半導體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進制程和創(chuàng)
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GF:7納米將是半導體產(chǎn)業(yè)長壽的制程世代
- GlobalFoundries收購IBM資產(chǎn)后,雙方技術(shù)、晶圓廠、人力進行大規(guī)模的整合。已經(jīng)在半導體產(chǎn)業(yè)有超過30年資歷,之前服務IBM約8年時間的GaryPatton,在2015年7月加入GlobalFoundries擔任技術(shù)長一職后,一肩扛起7納米制程的研發(fā)重任,整合IBM資產(chǎn)后的GlobalFoundries發(fā)展的方向更明確,先進的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進,本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發(fā)展的藍圖規(guī)劃。 記者:GlobalFound
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GF:7納米將是半導體產(chǎn)業(yè)長壽的制程世代
- GlobalFoundries收購IBM資產(chǎn)后,雙方技術(shù)、晶圓廠、人力進行大規(guī)模的整合。已經(jīng)在半導體產(chǎn)業(yè)有超過30年資歷,之前服務IBM約8年時間的Gary Patton,在2015年7月加入GlobalFoundries擔任技術(shù)長一職后,一肩扛起7納米制程的研發(fā)重任,整合IBM資產(chǎn)后的GlobalFoundries發(fā)展的方向更明確,先進的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進,本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發(fā)展的藍圖規(guī)劃。 記者:GlobalFoun
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10納米制程工藝手機涌現(xiàn) 7納米還會遠嗎?
- 在智能手機行業(yè)蓬勃發(fā)展的今日,手機為我們的生活乃至工作協(xié)助了太多,不可否認手機制造業(yè)從每五年的大跨步到現(xiàn)如今每年都有黑科技產(chǎn)出,并且在廠商的相互競爭下還在高速向前,飛速進步之中。這其中讓手機性能提升最為顯著的因素就要數(shù)處理器了,回首以往,處理器方面的進步確實歷歷在目。 對于廣大國產(chǎn)手機來說,常用的處理器無非高通驍龍、聯(lián)發(fā)科以及麒麟這三大陣營。以高通驍龍為例,回顧以往產(chǎn)品可以看到從最初的驍龍430,逐漸進步到驍龍625,后來提升到驍龍652以及650,最后來到了現(xiàn)在的驍
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ARM 加速推動 7 納米芯片進程,終端預計于 2018 年問世
- 全球 IP 矽智財授權(quán)廠商 ARM 于 12 日宣布,將參與 IMEC (歐洲微電子研究中心)代號為 INSITE 的計劃,借此以強化雙方的合作。據(jù)了解,INSITE 計劃乃是致力于優(yōu)化集成電路設計、系統(tǒng)層面架構(gòu)的功耗表現(xiàn),并且產(chǎn)品提高性能與降低成本。 ? ARM 表示,本次合作的重點是 7 納米制程及其以上的半導體芯片為主。未來,兩者進一步合作后,預計將可透過學習新技術(shù)與設計目標,加速半導體芯片的性能提升,使其在 INSITE 計劃下的戰(zhàn)略性產(chǎn)品能夠盡早進入市場。
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趕2017年7納米制程量產(chǎn) 臺積電將擴大研發(fā)資本支出
- 14日即將舉行法說會的晶圓代工龍頭臺積電,為了確保2017年能在7納米制程的爭奪戰(zhàn)中勝出,并且達成登上全球半導體龍頭的寶座,預料將在法說會中宣布,未來將大幅度增加研發(fā)的資本支出,并且大幅度招聘人才,擴大研發(fā)團隊的規(guī)模與數(shù)量。 根據(jù)媒體報導,6月份繳出營收達到史上第3高數(shù)字的臺積電,預計在14日的法說會中,由董事長張忠謀說明研發(fā)支出的相關(guān)金額,以及先進制程的相關(guān)計劃之外,目前也將針對研發(fā)團隊加緊招聘人馬。尤其,是針對即將畢業(yè)的社會新鮮人,將也運用各種招聘活動尋找適合的人選加入臺積電。據(jù)了解,臺積電
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三星加速引進EUV設備拚2017年量產(chǎn)7納米
- 三星電子(Samsung Electronics)決定引進極紫外光微影制程(EUV)設備,加速發(fā)展晶圓代工事業(yè),意圖加速超越臺積電等競爭者。不僅如此,最近三星電子還開放為韓系中小型IC設計業(yè)者代工200mm(8吋)晶圓,積極擴展晶圓代工客戶。 據(jù)韓媒ET News報導,三星集團(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部進行經(jīng)營診斷,原本計劃3月底結(jié)束診斷作業(yè),因故延長至4月,最終評估后決定引進EUV設備,目標2017年量產(chǎn)7納米制程。 經(jīng)營診斷過程中有部分意見認
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臺積電明年上半年試產(chǎn)7納米工藝芯片 2018年量產(chǎn)
- 北京時間4月19日消息,據(jù)臺灣《電子時報》報道,臺積電董事長張忠謀今天在一封致股東報告書中稱,公司計劃在明年上半年試產(chǎn)7納米工藝。 臺積電聯(lián)席CEO劉德音在4月14日舉行的投資者大會上表示,超過20家客戶已開始洽談7納米工藝代工事宜,預計2017年有15家客戶完成產(chǎn)品設計定案(tape out)。劉德音稱,臺積電計劃在2018年上半年實現(xiàn)7納米工藝的量產(chǎn)。 據(jù)劉德音介紹,7納米技術(shù)使用的設備95%與10納米相同,臺積電的7納米技術(shù)開發(fā)進展順利。“7納米工藝是10納米工藝的進一步
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iPhone 8處理器或?qū)⒉捎?納米工藝制造
- 芯片制造商臺積電(TSMC)17日表示,正與ARM合作開發(fā)7納米FinFET(鰭式場效晶體管)芯片制造工藝,最快將在2018用于生產(chǎn)蘋果iPhone 8上的A12芯片組。 根據(jù)臺積電公布的時間表,7納米FinFET工藝芯片將在明年投產(chǎn),而大規(guī)模生產(chǎn)則需要一段時間,最早可能將于2018年正式量產(chǎn),按照慣例,蘋果iPhone 8將會在2018年亮相,其搭載的A12處理器或?qū)⒉捎门_積電7納米工藝制造。 更先進的制程工藝意味著在更小的芯片上集成更多的晶體管,這將可以降低功耗。而FinFET技術(shù)通過
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7納米介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條7納米!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對7納米的理解,并與今后在此搜索7納米的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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