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CMOS開關(guān)電路原理

  • 　　圖1為CMOS模擬開關(guān)電路原理圖。它克服了NMOS模擬開關(guān)電路Ron雖vI增大而增大的缺點(diǎn)，擴(kuò)大輸入信號(hào)幅度的范圍；而且可以在CMOS電路基礎(chǔ)上增設(shè)輔助電路，消除NMOSFET的襯底效應(yīng)對(duì)Ron的影響。 圖1 CMOS開關(guān)電路原理 　　假定控制信號(hào)vc高電平VCH=VDD為邏輯“1”，低電平VCL=-Vss（取Vss=VDD）為邏輯“0”。T1襯底電壓VB1=-Vss，T2襯底電壓VB2=VDD。從圖可知，vc直接輸送到T1的柵極，而T2的柵極電壓是vc經(jīng)非門（T3、T4組成）倒相后的電壓。當(dāng)
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cmos開關(guān)電路介紹

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