ddr內(nèi)存芯片測試插座 文章 進入ddr內(nèi)存芯片測試插座技術(shù)社區(qū)
SABIC全新LNP? KONDUIT?改性料具有出色的耐高溫性和流動性,可用于復(fù)雜設(shè)計的DDR內(nèi)存芯片測試插座
- 荷蘭貝亨奧普佐姆,2022年12月6日——全球多元化化工企業(yè)沙特基礎(chǔ)工業(yè)公司(SABIC)今天推出了LNP? KONDUIT? 8TF36E改性料。這是一款新型特種材料,可使用于雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存集成電路(ICs)應(yīng)力測試的老化測試插座 (BiTS),可滿足測試期間嚴(yán)苛的性能要求。隨著DDR集成電路引腳數(shù)量增加、測試溫度上升、尺寸不斷縮小,BiTS組件對于材料的性能要求也越來越高。SABIC的這款全新改性料具有極高的流動性,有助于實現(xiàn)復(fù)雜、小型化的BiTS設(shè)計;其出色的尺寸穩(wěn)定性和耐高溫性可在測試
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ddr內(nèi)存芯片測試插座介紹
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