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谷歌Tensor G5芯片或已進(jìn)入流片階段，基于臺積電3nm制程

  • 據(jù)臺媒報道，最新消息稱預(yù)計用于谷歌明年旗艦智能手機(jī)的Tensor G5芯片將基于臺積電3nm制程，目前已成功進(jìn)入流片階段。據(jù)了解，谷歌Tensor G5芯片代號為Laguna Beach“拉古納海灘”，該芯片采用臺積電InFo_PoP晶圓級扇出封裝技術(shù)，實現(xiàn)SoC和DRAM的堆疊，支持16GB以上內(nèi)存。這種封裝技術(shù)能有效提升芯片的性能，并減小其物理尺寸，為谷歌Pixel設(shè)備帶來更強(qiáng)大的性能和更緊湊的設(shè)計。此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本，并由三星代工生產(chǎn)。而Tensor G
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g5芯片介紹

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