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借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度

• 　　英飛凌科技首席應(yīng)用工程師Zhong Fang Wang、英飛凌科技高級主任應(yīng)用工程師Matt Yang　　如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫菧?zhǔn)諧振（QR）反激式拓?fù)?，因?yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實(shí)現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。　　在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實(shí)現(xiàn)更
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