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全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅(qū)動器實現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化

  • 【2023年12月25日，德國慕尼黑訊】許多應用都出現(xiàn)了采用更小IGBT模塊，以及將復雜設計轉(zhuǎn)移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結(jié)構(gòu)且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）。X
  • 關鍵字： IGBT模塊  英飛凌  

Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器

  • 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高
  • 關鍵字： Power Integrations  短路保護  SiC  IGBT模塊  門極驅(qū)動器  

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究*

  • 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
  • 關鍵字： 202301  Boost變換器  SiC模塊  IGBT模塊  熱損耗  

比亞迪半導體推出集成 PFC 的 IGBT 模塊

  • IT 之家 11 月 30 日消息，據(jù)比亞迪半導體官方消息，目前，PFC（功率因數(shù)校正）電路設計正朝著高效、高頻、小體積、低成本以及集成化的方向發(fā)展。比亞迪半導體基于市場需求及技術發(fā)展趨勢，推出集成 PFC 的 IGBT 模塊新品。功率因數(shù)是用來衡量用電設備用電效率的參數(shù)，低功率因數(shù)代表低電力效能。為了提高用電設備功率因數(shù)的技術就稱為 PFC（功率因數(shù)校正）。比亞迪半導體共推出兩款新品：BG50D07N10S5：650V 50A 整流＋PFC＋逆變模塊，采用比亞迪 miniPIM2 封裝BG30K07Q1
  • 關鍵字： 比亞迪  IGBT模塊  

ITECH半導體測試方案解析，從容應對全球功率半導體市場風起云涌

將ADuM4135柵極驅(qū)動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

  • 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關頻率，以及由于對稱設計，具有低雜散電感的軟恢復并聯(lián)二極管
  • 關鍵字： ADI  ADuM4135柵極驅(qū)動器  Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊  

一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動電路

基于IGBT模塊驅(qū)動及保護技術研究

  • 　　IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關
  • 關鍵字： IGBT模塊  驅(qū)動  

Littelfuse推出IGBT模塊和整流器二極管模塊

  • 　　Littelfuse公司日前宣布，為其功率控制半導體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活地提供依托現(xiàn)代IGBT技術的高效而迅速的開關速度。 此類產(chǎn)品設計用于多種功率控制應用，包括交流電機控制器、運動/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽能逆變器。 新的相臂和常規(guī)陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A，提供更高的熱效率以保證更長的使用壽命和可靠性能。 其符合行業(yè)標準的S和A封裝尺寸使標準二極管具有
  • 關鍵字： Littelfuse  IGBT模塊  整流器二極管模塊  

IGBT模塊的密勒電容影響

  • 需要首先了解IGBT或IGBT模塊的寄生電容參數(shù)：IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡單的原...
  • 關鍵字： IGBT模塊  密勒電容  

如何用EG8010大功率IGBT模塊制作驅(qū)動板

  • 現(xiàn)有150A、300A的幾個大電流IGBT模塊，功率分別可以做到10KW和20KW以上。首先做一塊能驅(qū)動這些大家伙的驅(qū)動電...
  • 關鍵字： EG8010  大功率  IGBT模塊  

基于大功率IGBT模塊PCB抄板及芯片的解密研究

  • 我國大功率IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊產(chǎn)品實現(xiàn)國產(chǎn)化啦！這不僅打破了我國在高端IGBT模塊長期依賴進口的局...
  • 關鍵字： IGBT模塊  PCB抄板  

基于Ansoft仿真針對HEV/EV市場的IGBT模塊

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： ANSOFT  HEV/EV  IGBT模塊  功率變換器  仿真  

二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設計

  • 摘要：通過分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設計了大功率IGBT的短路保護和有源鉗位電路。
    關鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護
  • 關鍵字： IGBT模塊  二代SCALE-2模塊  2SC0435T  短路保護  有源鉗位  

檢測IGBT模塊的辦法

  • 靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應...
  • 關鍵字： IGBT模塊  測試  
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igbt模塊介紹

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細 ]

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