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基于IGBT熱計算的最大化電源設計效用解決方案

計算大多數(shù)半導體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝，包括雙極結(jié)晶體管(BJT)...
關鍵字： IGBT熱計

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