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AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V
的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT
可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB
的動態(tài)范圍，而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統(tǒng)的延遲，實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- 根據相機及影像產品協(xié)會（CIPA）公布的數據，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產品創(chuàng)新與流量經濟的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
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無反相機 CMOS 傳感器
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯合推出業(yè)內首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產，既標志著光刻拼接技術在
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CMOS 晶合 圖像傳感器 索尼
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯合推出業(yè)內首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇?！?產品圖，圖源晶合集成，下同據介紹，為滿足 8K 高清化的產業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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CMOS 圖像傳感器 CIS
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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CMOS，反相器，功耗
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K傳感器的衍生產品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
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CMOS 圖像傳感器 Flash
- 問題引入在工作中，會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認識一般為：OD門是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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TTL電路 CMOS
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實現在線檢測，大大提高了檢測效率，同時對產品進行全檢，檢測結果更為客觀、更準確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么，相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：色彩校正矩陣，用于實現在任一照明條件下的精確色彩再現；高質量圖像，卓越的靈敏度和動態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設置，準確觸發(fā)
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傳感器 色彩 CMOS
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實現在線檢測，大大提高了檢測效率，同時對產品進行全檢，檢測結果更為客觀、更準確。問：無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么，相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實現在任一照明條件下的精確色彩再現? 高質量圖像，卓越的靈敏度和動態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度?
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CMOS 傳感器 色彩算法
- 受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進經濟增長、科學進步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
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CMOS
- 1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成，預定年內投產，目前處于設備移入進機階段。另外，該廠開幕式預計在2月24日舉行。公開資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠計劃生產12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導體，初期多數產能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬片產能。臺積
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臺積電 索尼 日本電裝 CMOS ISP MCU
- 移動互聯時代，在電子半導體產業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類芯片會沖在前面，呈現出明顯的增長勢頭，存儲器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導體業(yè)即將復蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應用領域：手機、安防和汽車。當然，CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產品上也有應用。近日，全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調升 2024 年第一季度 CIS 產品的
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CMOS 圖像傳感器
- IT之家 12 月 10 日消息，由于當下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關注，IMEC （比利時微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術（IT之家注：即垂直堆疊互補場效應晶體管技術，業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術），英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術突破，并強調了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶體管方面取得的突
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英特爾 CMOS
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