首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> rf-cmos

SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  NCP4682  

Microsemi成功收購AML Communications

  • 致力實(shí)現(xiàn)智能、安全，以及互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布，公司已于2011年5月27日完成對AML Communications, Inc. (OTCBB:AMLJ) 之收購。
  • 關(guān)鍵字： Microsemi  RF  

PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18  

選擇RF和微波濾波器的八大竅門

  • 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無線器件確定濾波器參數(shù)時...
  • 關(guān)鍵字： RF  微波  濾波器  

基于OFDM的WiMAX RF系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 固定WiMAX標(biāo)準(zhǔn)基于正交頻分復(fù)用(OFDM) 技術(shù)，使用256個副載波; 該標(biāo)準(zhǔn)支持1.75~ 28 MHz范圍內(nèi)的多個信道帶寬，同時支持多種不同的調(diào)制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM。　　1 主要芯片完成功能
    　　本設(shè)備采用
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  RF  WiMAX  OFDM  基于  

RF CO2激光電源類別與原理

  • 關(guān)于激光頭的準(zhǔn)電感諧振技術(shù)。為了使輸入射頻沿激光器長度，電壓分布均勻，加入一對電感并聯(lián)在諧振腔上下電極之間。這樣，由于電感負(fù)導(dǎo)納的補(bǔ)償作用，使激光器沿長度上的駐波比大大下降，失配角小于9°，理論計(jì)算結(jié)果電壓不均勻度小于3％。
  • 關(guān)鍵字： 類別  原理  電源  激光  CO2  RF  

ADI新推出高動態(tài)范圍、單通道混頻器系列樹立性能水平新標(biāo)桿

  • AnalogDevices,Inc.（紐約證券交易所代碼：ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出五款針對衛(wèi)星通信、無線基站、點(diǎn)到點(diǎn)無線電鏈路、儀器儀表和軍事設(shè)備等高動態(tài)范圍應(yīng)用的單通道RF混頻器系列，從而擴(kuò)充了其 RF IC 產(chǎn)品系列。
  • 關(guān)鍵字： ADI  RF  

EMI/RF吸波材料性能比較

  • 隨著工程師們需要遵循的輻射電磁干擾(EMI)規(guī)范的不斷增多，市場上開始出現(xiàn)各種類型的EMI吸波材料。一般而言，市場上所提供的這些吸波材料的厚度很薄并具有很好的外形柔韌性，再加上其背面帶有粘合劑的設(shè)計(jì)使得我們能
  • 關(guān)鍵字： EMI  RF  吸波材料  性能比較    

SoC發(fā)射器簡化RF遙控器設(shè)計(jì)

  • 最常見的遙控器使用紅外(IR)技術(shù)，這主要是因?yàn)榧t外元件成本相對較低，但這些基于IR的控制器有許多缺陷，包括需要在視角范圍內(nèi)、操作角度限制、傳輸距離短、與IR LED相關(guān)的反射和高電流消耗等，這些缺陷大大縮短了電池壽命。RF遙控器解決了這些問題，并且由于可帶給用戶更好的使用體驗(yàn)，產(chǎn)品也日益豐富。此外，技術(shù)改進(jìn)正在使得RF-IR元件之間的價格差越來越小。
  • 關(guān)鍵字： 遙控器  設(shè)計(jì)  RF  簡化  發(fā)射器  SoC  

用于EMI/RF吸波材料性能比較

  • 本文設(shè)計(jì)加工了一種簡單的表面電流減少測試裝置，通過它可以在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下對不同EMI吸波材料的吸波性能進(jìn)行相對的比較。盡管吸波材料所引起的表面電流的減少量并不完全等于預(yù)期的EMI減少量的測量值，但該方法可以很快的確定在特定頻率范圍內(nèi)具備最佳吸波性能的材料。
  • 關(guān)鍵字： 比較  性能  材料  EMI/RF  用于  

一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
  • 關(guān)鍵字： CMOS  運(yùn)算放大器    

簡化多模多頻帶3G手機(jī)的RF前端設(shè)計(jì)

  • 　　手機(jī)市場激烈的競爭推動制造商去尋找新的降低成本、印制電路板(PCB)面積和功率損耗的設(shè)計(jì)方法。同時，第三代(3G)網(wǎng)絡(luò)的首次展示已打開各種新型多媒體和以實(shí)驗(yàn)為依據(jù)的應(yīng)用之門，從無線網(wǎng)絡(luò)接入和移動視頻到文本發(fā)
  • 關(guān)鍵字： RF  前端  設(shè)計(jì)  手機(jī)  3G  多模  頻帶  簡化  

基于3G手機(jī)的RF屏蔽設(shè)計(jì)

  • 　蜂窩發(fā)射模塊對手機(jī)內(nèi)的任何元件來說都將產(chǎn)生最大的輻射功率，從而可能誘發(fā)EMI和RFI。類似這樣的問題可以采用RF屏蔽技術(shù)來降低與EMI及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對外部磁場的敏感度降至最低。那么，什么樣的
  • 關(guān)鍵字： 屏蔽  設(shè)計(jì)  RF  手機(jī)  3G  基于  
共1573條 63/105 |‹ « 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 » ›|

rf-cmos介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473